【产品】硅4线单向瞬态电压抑制器CPZ39R-CMNTVS5V0，电快速瞬变高达40A

时间： 2018-11-18 来源：Central

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瞬态电压抑制器,单向瞬态电压抑制器,硅4线单向瞬态电压抑制器,CPZ39R-CMNTVS5V0

Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)公司是世界顶级分立半导体制造商，Central推出的CPZ39R-CMNTVS5V0是一款硅，4线单向瞬态电压抑制器，可以对电路中的核心芯片进行保护，使敏感设备免受ESD损坏，主要应用于用户接口瞬态保护、电话线路保护、电压钳位等领域。

在工作环境为25℃的条件下，CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器峰值功耗（8x20μs）的最大额定值为25W，电快速瞬变(IEC 61000-4-4) (5x50ns)测试电流最大额定值为40A。其ESD电压在IEC 61000-4-2，气隙放电以及IEC 61000-4-2，接触放电的条件下最大额定值均为15kV。CPZ39R-CMNTVS5V0的工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃，能够适应较为恶劣的工业环境，满足大部分环境上的需求，保证器件稳定性。

在工作环境为25℃的条件下，CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器的最大反向隔离电压V_RWM为5.0V，其反向击穿电压V_BR在输入电流为1.0mA的条件下，最小值、正常值、最大值分别为6.0V,7.1V,8.0V。CPZ39R-CMNTVS5V0的反向漏电流I_R在最大反向隔离电压下，典型值为5.0nA,最大值为250nA，漏电流所造成的危害较小，从而能够较好地保护芯片不受损坏。CPZ39R-CMNTVS5V0的最大钳位电压（8x20μs）V_C为12.5V，典型动态电阻R_DYN为1.45Ω，结电容典型值为5.5pF。

图1 CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器产品示意图

图2 CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器典型电气特性图

CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器机械参数

·裸片尺寸11x11MILS

·裸片厚度3.9MILS

·阴极焊盘尺寸(x4) 单个直径3.5MILS

·晶圆直径4英寸

CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器的突出特点与优势

·单向瞬态电压抑制器峰值功耗P_PK（8x20μs）为25W

·电快速瞬变E_FT(IEC 61000-4-4) (5x50ns)最高为40A

·ESD电压V_ESD(IEC 61000-4-2，Air)以及(IEC 61000-4-2，Contact)最高均为15kV

·工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃

·最大反向隔离电压V_RWM为5.0V

·反向击穿电压V_BR最小值、正常值、最大值分别为6.0V,7.1V,8.0V

·反向漏电流I_R在最大反向隔离电压下，典型值为5.0nA,最大值为250nA

·结电容C_J典型值为5.5pF(偏置电压3.3V)

·最大钳位电压（8x20μs）V_C为12.5V

·动态电阻典型值R_DYN为1.45Ω(Z₀=50Ω，tp=100ns)

CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器主要运用领域

·用户接口瞬态保护

·电压钳位

·电话线路保护

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