【产品】使机器尺寸减小40%的耐高压功率MOSFETMG020201，最大反向电压可达600V
MG020201是新电元推出的一款耐高压功率MOSFET，其最大反向电压可达600V，可满足高电压的工作环境。同时平均正向电流为30A，可满足大功率电路的设计应用。
图一：MG020201封装外形图
MG020201的转换器二极管非重复性峰值浪涌电压为800V，峰值浪涌正向电流为300A，工作结温为150°C。MG020201所具有高耐受能力使其非常适合高可靠性的系统设计。
图二：MG020201转换器二极管参数
MG020201的制动IGBT通道温度为150°C，集电极 - 发射极电压为600V，栅极 - 发射极电压为±20V，连续集电极电流（DC）为30A，连续集电极电流（峰值）为60A，总功率消耗为178W。此产品的有着较低的导通损耗、更好的效率表现。MG020201可支持快速导通和关断，开启延迟时间为63ns，上升时间为57ns，关闭延迟时间为91ns，下降时间为47ns。高速开关切换可以确保该款功率MOSFET非常适合高频电路设计。其输入电容为1670pF，输出电容为165pF，反向传输电容为20pF。总电荷为62nC，门限电压典型值为6.5V，静态集电极 - 发射极饱和电压典型值为2.0V。
图三：MG020201制动IGBT参数
MG020201的制动二极管结温为150°C，最大反向电压为600V，平均正向电流为3A。热阻最大值为2.4°C/W。
MG020201的Module保存温度范围为-40°C至+125°C。其介电强度为2.5kV，安装扭矩为1.5N·m。在大功率系统中，可确保系统不会因为损耗过大导致结温过高而损坏芯片，更好的应用于高温环境。
图四：MG020201 Module参数
MG020201主要特性：
• 小DIP封装
• 独立包装
• 高电压
• 高散热
• 易于安装
• 使机器尺寸变小
• 有助改善生产
• 节温150度
MG020201主要应用：
• 逆变器
• 伺服控制器
图五：MG020201等效电路原理图
技术顾问:drwyh
世强元件电商版权所有，转载请注明来源及链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 6
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【产品】汽车级功率MOSFET P140LF4QNK、P105LF4QNK，适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用
P140LF4QNK、P105LF4QNK是ShinDengen推出的沟槽型功率MOSFET，体积小重量轻，符合AEC-Q101标准和ISO/TS16949标准，最大漏-源电压均为40V，最大漏极直流电流分别为140A和105A，适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用。【世强硬创沙龙2019】
新产品 发布时间 : 2018-12-30
【产品】半桥型SiC功率模块BSM300D12P3E005，可用于电机驱动、逆变器、转换器等应用
罗姆新推出的半桥型SiC功率模块BSM300D12P3E005由罗姆制造的SiC-UMOSFET和SiC-SBD（肖特基势垒二极管）组成。该产品具有低浪涌和低开关损耗的特性以及较高的稳定性与可靠性，器件的导通时间典型值仅30ns，关断时间典型值仅210ns，具有极快的切换速度，适用于电机驱动、逆变器、转换器等应用。
新产品 发布时间 : 2019-10-17
【产品】最大反向电压可达600V的耐高压功率MOSFET，满足大功率电路的设计应用
MG020200是新电元推出的一款耐高压功率MOSFET，其最大反向电压可达600V，可满足高电压的工作环境。同时平均正向电流为20A，可满足大功率电路的设计应用。
新产品 发布时间 : 2018-01-15
HI-SEMICON（深鸿盛）场效应管（MOSFET）选型表
目录- 中低压功率MOSFETs 高压功率MOSFETs 超结MOSFETs
型号- SFU6007T,SFP20N65,SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFF10N65R,SFD7N70,SFF4N60E,SFQ0320T4,SFM4009T,SFE6001T2,SFP20N60,SFK2N50,SFF60N06,SFM041R8T,SFD60N06,SFD2N50,SFP4N65,SFP33N10,SFP4N65E,SCP60R190C,SFP20N70,SFS3401,SFD4N60E,SFS3400,SFD6005T,SFD7N65E-Y,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SCA60R280C,SFM4N65,SFD1N65,SCP70R360C6,SFD3015T,SGA855R0T,SFP50N06,SCA65R540T,SCF65R640C,SFQ0322T4,SFU4N65E,SFF12N65,SFD6006T,SFD6N70,SGM10HR14T,SFQ0420T4,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3N50-P,SFN3009T,SCD60R360C,SFF6N70,SFU3006T,SCF65R1K15C,SFP9N20,SFF50N06,SFD6007T,SFF3N50-P,SFP10N60,SCF65R380C,SFP7N65E-Y,SCP65R380C,SCP60R280C,SFS4008T2,SFS2300,SFF7N65-Y,SCF60R280C,SFF13N50,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP10N70,SCD65R1K2C,SFM4010T,SFD3N50TS,SFF6007T,SCF80R500C,SCD80R500C,SFF2N50,SFD3012T,SFA3018T,SFF7N65,SCF65R310C,SFF7N65E-Y,SCD70R360C6,SFF6006T,SCK65R1K15C,SFD4N65E,SFF15N10,SFU4N65,SFF7N70,SFD4003T,SFU9N65,SFF6005T,SFD7N65-Y,SCP60R160C,SCA60R190C,SCF80R950C,SFK3N50,SCF55R2K7C,SFF12N65-Y,SFE3007T,SFP3006T,SFD5N50,SGM6005DT,SFF9N20,SGF15N10,SFP60N06,SFS2N10,SCF70R600C6,SFD4001PT5,SFP10N65-Y,SFF3N50,SFM4N65E,SCD65R125C,SCF65R125C,SFD4N70,SFP7N65-Y,SFF5N50TS,SFP6005T,SCP65R125C,SGM031R1T,SCF70R420C,SCD70R420C,SFP12N65-Y,SCP65R540T,SCF60R160C,SFD4N65,SFS2N7002,SFF3N50TS,SFF33N10,SCF70R360C6,SFS2302B,SFS2301B,SFD15N10,SFF20N60,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFS4606T,SFU4003T,SGD15N10,SFF9N50,SFD10N65-J,SFF4N65E,SFD4004PT,SFD9N65,SFF20N70,SFU10N65R,SCD55R2K7C,SFU6003T,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SFF9N65,SFP13N50,SCD70R600C6,SFU7N70,SCD65R380C,SFD5N50TS,SFAP4580,SFF10N60,SCD65R540T,SCP60R360C,SFF4N65,SFM0320T4,SCF65R1K2C,SCP80R500C,SGP855R0T,SFU6005T,SFD10N65R,SFD3N50,SFP12N65,SFU6N70,SFU4N60E,SFF4N70,SFF10N65-Y,SFF9N90,SGU15N10,SFM3011T,SFF16N65,SFP110N55,SFU6006T,SFP18N50,SFU15N10,SFF5N50,SFF10N65-J,SFN6004T5,SFP59N10,SFD9N20,SCF65R240C,SCD65R640C,SFM3012T,SFS5N10S,SFN0250T2,SCD65R1K15C
华轩阳电子(MOSFET在微型光伏逆变器中的应用，能够有效降低光伏逆变器的功率损耗
在小功率应用中，如消费类电子产品、移动充电设备等，光伏逆变器不仅需要高效转换太阳能，还需要保持小巧轻便，以适应多样化的使用场景。在这一背景下，功率半导体分立器件MOSFET的选择变得至关重要。
应用方案 发布时间 : 2024-03-15
模拟CMOS逆变器的开关功耗
本文将介绍SPICE仿真，以帮助更全面地了解逆变器的不同类型的动态功耗。本文重点讨论开关功率——输出电压变化时电容充电和放电所消耗的功率。
设计经验 发布时间 : 2024-09-10
森国科多款SiC MOSFET可用在开关电源、逆变器、充电桩等领域，开关速度快
针对不同功率的应用场合，森国科1200V、1700V的SiC MOSFET都可以满足，也可以满足满足不同功率充电器中不同电路位置的要求。
应用方案 发布时间 : 2024-03-01
【技术】适用于新型光伏逆变器的MOSFET-IGBT并联技术功率模块
由于太阳能电池板效率瓶颈的存在，人们对于光伏太阳能逆变器效率是特别的关注，效率已经是光伏太阳能逆变器最重要的衡量指标。本文详细介绍了一种高效光伏逆变器拓扑，并针对此拓扑介绍Vincotech 公司的太阳能专用模块以及通用的驱动设计。
技术探讨 发布时间 : 2016-07-21
可以提高工业逆变器功率转换效率并具有节能效果的半导体
功率元器件和模拟IC在很大程度上决定了逆变器的节能性能和效率。通过在适合的应用中使用功率元器件和模拟IC，可以进一步提高逆变器的功率转换效率，降低工业设备的功耗，从而实现节能。本文将为您介绍在新型逆变器中应用日益广泛的先进功率元器件和模拟IC的特性及特点。
技术探讨 发布时间 : 2024-04-28
芯际探索授权世强硬创代理功率半导体，满足多领域逆变器/UPS/变频器应用需求
芯际探索产品包括IGBT单管及模块、IPM、SJ/VD/SGT/Trench MOSFET、FRD、SiC MOS/SBD/JBS/功率模块和HVIC系列等。
签约新闻 发布时间 : 2024-03-26
小功率光伏逆变器采用导热垫片T-gard 500用于MOSFET下面散热，由于产品体积较小，要求温升不超过15度，实际测试中温升超过15度，不满足要求，请问如何解决此问题？
根据目前光伏逆变器的功率等级和散热环境，推荐采用T-gard 5000导热垫片代替T-gard 500，T-gard 5000材质是由聚酰亚胺表面涂覆一层填充陶瓷材料的高温硅树脂橡胶制成，热阻在50psi压力下仅为0.48度in2/W，且厚度只有0.127mm，更利于热量传导。
技术问答 发布时间 : 2017-05-05
【应用】华冠电流型PWM控制器用于光伏逆变器，开关频率500kHz，输入电压可达30V
有客户在设计一款光伏逆变器产品，控制电路部分用辅电供电，通过PWM控制器配合MOS组成反激拓扑。本文给客户推荐一款华冠的电流型PWM控制器UC2844M/TR，具有16V/10V的UVLO阈值电压，50%占空比，可支持最大500K的开关频率。
应用方案 发布时间 : 2023-02-24
派恩杰多款碳化硅功率器件适合光伏逆变器和储能逆变器的应用需求，助力“碳中和”目标达成
派恩杰半导体具有车规级资质，产品的可靠性在各大品牌中首屈一指，也适用于储能、光伏之类的工业应用领域。目前，派恩杰P3M12025K3、P3M12025K4；P3M12080K3、P3M12080K4以及P3M12040K3、P3M12040K4已经在很多光伏、储能头部客户的项目中采用。
厂牌及品类 发布时间 : 2022-04-28
【产品】导通电阻仅0.29Ω的N沟道高耐压MOSFET，大功率电源及充电器设计首选
新电元的P20FH50HP2是一款SMD封装的N沟道耐高压MOSFET，适合大功率电源以及充电器设计等应用。器件功耗最大值为175W，可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
新产品 发布时间 : 2018-03-08
HI-SEMICON多款MOSFET产品满足光伏逆变器的不同应用需求
SiC MOSFET产品在光伏逆变器中是一种重要的功率开关器件，可以承担关键的电源开关和电流控制功能。在光伏逆变器中，SiC MOSFET产品通常作为主开关管使用，用于控制输入直流电源的开关和输出交流电源的频率和电压。HI-SEMICON提供多款MOSFET产品满足光伏逆变器的不同应用需求。
应用方案 发布时间 : 2023-10-24
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
查看全部2条回复