【产品】使机器尺寸减小40%的耐高压功率MOSFETMG020201，最大反向电压可达600V
MG020201是新电元推出的一款耐高压功率MOSFET，其最大反向电压可达600V，可满足高电压的工作环境。同时平均正向电流为30A，可满足大功率电路的设计应用。
图一：MG020201封装外形图
MG020201的转换器二极管非重复性峰值浪涌电压为800V，峰值浪涌正向电流为300A，工作结温为150°C。MG020201所具有高耐受能力使其非常适合高可靠性的系统设计。
图二：MG020201转换器二极管参数
MG020201的制动IGBT通道温度为150°C，集电极 - 发射极电压为600V，栅极 - 发射极电压为±20V，连续集电极电流（DC）为30A，连续集电极电流（峰值）为60A，总功率消耗为178W。此产品的有着较低的导通损耗、更好的效率表现。MG020201可支持快速导通和关断，开启延迟时间为63ns，上升时间为57ns，关闭延迟时间为91ns，下降时间为47ns。高速开关切换可以确保该款功率MOSFET非常适合高频电路设计。其输入电容为1670pF，输出电容为165pF，反向传输电容为20pF。总电荷为62nC，门限电压典型值为6.5V，静态集电极 - 发射极饱和电压典型值为2.0V。
图三：MG020201制动IGBT参数
MG020201的制动二极管结温为150°C，最大反向电压为600V，平均正向电流为3A。热阻最大值为2.4°C/W。
MG020201的Module保存温度范围为-40°C至+125°C。其介电强度为2.5kV，安装扭矩为1.5N·m。在大功率系统中，可确保系统不会因为损耗过大导致结温过高而损坏芯片，更好的应用于高温环境。
图四：MG020201 Module参数
MG020201主要特性：
• 小DIP封装
• 独立包装
• 高电压
• 高散热
• 易于安装
• 使机器尺寸变小
• 有助改善生产
• 节温150度
MG020201主要应用：
• 逆变器
• 伺服控制器
图五：MG020201等效电路原理图
技术顾问:drwyh
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