【产品】QFN5×6薄型封装的N沟道功率MOSFET DI008N10PQ， 漏极峰值电流高达20A
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主要特征
薄型封装，可节省空间
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
高雪崩耐量
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals的管理规定
典型应用
DC/DC转换器
电源
直流驱动器
电动工具
同步整流器
商业/工业应用
机械参数
编带和卷盘包装：5000/13"
重量约0.1g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=3
最大额定值（TA=25℃，除非另外特殊标注）
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