【产品】QFN5×6薄型封装的N沟道功率MOSFET DI008N10PQ， 漏极峰值电流高达20A
DIOTEC（德欧泰克）推出型号为DI008N10PQ的N沟道功率MOSFET，器件采用QFN5×6薄型封装，可节省空间，具有低导通电阻和开关速度快等特点，最大额定值参数方面，漏-源电压为100V（VGS=0V，短接），持续栅-源电压为±20V，耗散功率为21.3W（TC=25℃），允许通过的漏极持续电流为8A（TC=25℃ ），漏极峰值电流高达20A，工作结温和存储温度范围-55℃~+150℃，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具，同步整流器以及工业、商业应用等领域。产品封装及尺寸图如下所示：
主要特征
薄型封装，可节省空间
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
高雪崩耐量
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals的管理规定
典型应用
DC/DC转换器
电源
直流驱动器
电动工具
同步整流器
商业/工业应用
机械参数
编带和卷盘包装：5000/13"
重量约0.1g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=3
最大额定值（TA=25℃，除非另外特殊标注）
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