【产品】连续漏极电流至高6A的N沟道增强型SiC MOS-P3M171K2K3，导通电阻低，可降低散热器需求

时间： 2022-11-23 来源：派恩杰

技术问答

派恩杰推出的N沟道增强型SiC MOSFET-P3M171K2K3，具有高阻断电压，低导通电阻，超低栅漏电荷Q_gd等特点。该产品可提高功率密度，降低散热器需求，满足RoHS和无卤要求，适用于光伏逆变器、电动汽车电池充电器等应用领域。

该N沟道增强型SiC MOS产品特点：

高阻断电压，低导通电阻
高工作频率
超低栅漏电荷Qgd
100%UIS测试

产品优势：

提高系统效率
提高功率密度
降低散热要求
降低系统成本

应用：

光伏逆变器
电动汽车电池充电器
高压DC/DC转换器
开关电源

订购信息：

最大额定参数（T_J=25℃条件下，除非有特殊说明）

电气特性（T_J=25℃条件下，除非有特殊说明）

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