【产品】650V/7A的N沟道MOSFET TMA/C/D/P/U7N65M系列
无锡紫光微的N沟道MOSFET TMA7N65M，TMC7N65M，TMD7N65M，TMP7N65M，TMU7N65M，漏源电压均为650V，漏极持续电流均为7A(TC=25℃)，TMA/C7N65M的耗散功率为63W (TC=25℃)，TMD/P/U7N65M的耗散功率为97W (TC=25℃)，TMA7N65M采用TO-220F封装，TMC7N65M采用TO-262封装，TMD7N65M采用TO-252封装，TMP7N65M采用TO-220封装，TMU7N65M采用TO-251封装。
图1 实物图、封装形式和内部电路
图2、封装对应型号
产品特性：
● 快速开关
● 100%雪崩测试
● 改进的dv/dt能力
应用场合：
● 开关电源（SMPS）
● 不间断电源（UPS）
● 功率因数校正(PFC)
最大额定值参数(TC=25℃，除非特殊说明)
电气特性(TJ=25℃，除非特殊说明)：
注：
1. 重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制
2. IAS = 6A, VDD = 50V, RG = 25 Ω, 开始时 TJ = 25 ºC
3. 脉冲测试: 脉冲宽度 ≤ 300μs, 占空比 ≤ 1%
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