【产品】650V/7A的N沟道MOSFET TMA/C/D/P/U7N65M系列

时间： 2020-08-09 来源：无锡紫光微

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无锡紫光微的N沟道MOSFET TMA7N65M，TMC7N65M，TMD7N65M，TMP7N65M，TMU7N65M，漏源电压均为650V，漏极持续电流均为7A(T_C=25℃)，TMA/C7N65M的耗散功率为63W (T_C=25℃)，TMD/P/U7N65M的耗散功率为97W (T_C=25℃)，TMA7N65M采用TO-220F封装，TMC7N65M采用TO-262封装，TMD7N65M采用TO-252封装，TMP7N65M采用TO-220封装，TMU7N65M采用TO-251封装。

图1 实物图、封装形式和内部电路

图2、封装对应型号

产品特性：

● 快速开关

● 100%雪崩测试

● 改进的dv/dt能力

应用场合：

● 开关电源（SMPS）

● 不间断电源（UPS）

● 功率因数校正(PFC)

最大额定值参数(T_C=25℃，除非特殊说明)

电气特性(T_J=25℃，除非特殊说明)：

注：

1. 重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制

2. I_AS= 6A, V_DD = 50V, R_G = 25 Ω, 开始时 T_J = 25 ºC

3. 脉冲测试: 脉冲宽度 ≤ 300μs, 占空比 ≤ 1%

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