【应用】英诺赛科耐压650V的GaN芯片INN650DA260A助力Realme闪充，有效节省空间
以“为年轻人打造全方位越级体验为初心”的Realme(真我)，近期推出67W氮化镓智慧闪充，采用英诺赛科650V GaN芯片，支持双口输出，轻巧便携，满足商务、旅行多设备快速充电需求。
小体积，大能量
Realme双口氮化镓充电器共设置了一个USB-C接口与一个USB-A接口，两个接口均支持65W智慧闪充私有协议，可以为realme、OPPO、一加系列手机提供大功率快速充电，仅需15分钟就可以为真我GT2 Pro充电至 50%。
Realme 67W氮化镓智慧闪充采用全新的第三代半导体GaN材料，功率密度约0.79W/cm³，既能提供高效输出，又能大幅度降低充电器体积，减少发热量。与苹果原装67W充电器相比，体积缩小了30%，优势非常明显。同时采用可折叠插脚设计，节省空间，收纳方便。
氮化镓，为高效而生
据充电头网拆解得知，Realme 67W氮化镓快充的开关管为英诺赛科氮化镓芯片INN650DA260A，耐压650V，瞬态耐压750V，支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求。得益于工业的迭代，性能明显提升，适用于65-120W的反激架构，120-200W的LLC架构。
当前，英诺赛科高压芯片已全面升级到700V，能够满足更高功率的电源开关设计。产品已被三星，OPPO，VIVO，联想，雅迪，LG，华硕，安克，努比亚，倍思，绿联，闪极等多家知名品牌和厂商所采用，截至至2022年12月，出货量突破1.2亿颗。今年一季度出货量已超过5000万颗，增速迅猛。
Realme 67W智慧闪充的面市，再次奠定了氮化镓在快充领域的地位，其优势不言而喻。英诺赛科也期待与更多合作伙伴紧密配合，为设计出更高效、更符合多场景应用的电源产品而努力。
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本文由玉鹤甘茗转载自英诺赛科公众号，原文标题为:精选案例 | Realme 67W 氮化镓双口闪充，商旅出行一个搞定！，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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