【产品】Silicon Labs数字隔离器Si86xx隔离安规特性的深入解读

时间： 2020-11-01 来源：世强

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在数字隔离器产品的技术手册中，我们通常会看到的该器件的隔离耐压、最大重复峰值隔离电压、最大工作隔离电压、最大瞬态隔离电压以及最大浪涌隔离电压等参数。在没有了解清楚隔离产品具体的安规认证标准就很难区分上述参数间的定义差别，本文主要对数字隔离器Si86xx系列产品安规标准以及定义的安规参数做深入介绍。

图1 Si86xx系列产品安全相关认证标准

（1）UL1577 光耦隔离产品的认证标准，标准中对于最大隔离耐压VISO有明确定义：为通过该标准的认证，隔离器件必须承受隔离电压VISO 时间为60S。Si86xx通过UL1577 5000V_RMS认证。我们通常所说的隔离5kV就是指最大隔离耐压VISO值。

图2 Si86xx 隔离特性参数

（2）IEC60747-5和VDE 0884-11定义了另一种高压检测方法，基于局部放电（Partial Discharge
）检测。它可以检测在一定高压下，因为数字隔离器绝缘介质存在空隙而引起的电荷释放。局部放电测试施加在隔离器两端电压不是瞬态电压，是需要长期作用的工作电压。

最大重复峰值隔离电压V_IORM（峰值电压）/最大工作隔离电压V_IOWM（有效值电压）就是基于局部放电测试所得。

图3 局部放电测试原理图

上图中数字隔离器可被视为被测电容Ca，Ck耦合电容旁路局部放电电流回路。Zm测试回路阻抗连接导线、浪涌限制装备和测试仪器整个测试回路阻抗。PD为局部放电测试仪器。

测试方法：

方法b1：

局部放电测试电压是峰值工作电压V_IORM的1.875倍，测试时间是1s，检测漏电荷Q_pd大小。标准中规定由局部放电引起的放电电荷(pd)需要小于5pC。

SILICON LABS Si86xx系列按照局部放电测试b1 最大工作隔离电压 WB SOIC-16封装为1200Vpk。

综上所述，相信大家对于数字隔离器的安全标准UL1577、IEC60747-5、VDE0884-11有了更加深刻的理解。

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全部评论（3）

我有一片大森林 Lv5. 技术专家 2020-12-24

学习
xiaozhang Lv5. 技术专家 2020-11-26

学习
ACE Lv8. 研究员 2020-11-02

学习了

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