UnitedSiC推出UF3C FAST系列650V和1200V高性能碳化硅FET，采用标准TO-247- 3
2018年11月5日， 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出其UF3C FAST系列650 V和1200 V高性能碳化硅FET，采用标准TO-247- 3L封装。与现有的UJC3系列相比，FAST系列提供了更高的开关速度和更高的效率水平。
该新系列基于UnitedSiC的专有共源共栅配置，提供了更高的开关速度，同时为大多数TO-247-3L IGBT，Si-MOSFET和SiC-MOSFET零件提供了“嵌入式”替代解决方案。这意味着可以在不更改现有栅极驱动电路的情况下影响系统升级以提高性能和效率。可以基于Q rr降低50％来降低导通损耗。对于大电流使用，需要一个小型，低成本的RC缓冲器，这也简化了EMI设计。
适用于UF3C FAST系列的应用包括全系列的硬开关电路，例如通常用于EV充电的有源整流器和图腾柱PFC级，电信整流器和服务器电源。
UF3C FAST系列以UnitedSiC的Gen-3 SiC晶体管技术为基础，将更快的SiC JFET与定制设计的Si-MOSFET集成在一起，以实现常关操作，高性能体二极管和易于栅极驱动MOSFET的理想组合。 与其他宽带隙技术相比，SiC共源共栅器件支持标准的12 V栅极驱动，并确保了雪崩防护等级（100％经过生产测试）。
“ UnitedSiC的新型FAST SiC FET系列易于使用，并提供了出色的性价比选择，” UnitedSiC工程副总裁Anup Bhalla说道。“该系列为设计工程师提供了从大功率设计中获得更高效率的机会。”
该范围包括以下零件编号：UF3C120040K3S（1200 V / 35mΩ），UF3C065030K3S（650 V / 30mΩ）和UF3C065040K3S（650 V / 42mΩ）。
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