UnitedSiC推出UF3C FAST系列650V和1200V高性能碳化硅FET,采用标准TO-247- 3
2018年11月5日, 碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出其UF3C FAST系列650 V和1200 V高性能碳化硅FET,采用标准TO-247- 3L封装。与现有的UJC3系列相比,FAST系列提供了更高的开关速度和更高的效率水平。
该新系列基于UnitedSiC的专有共源共栅配置,提供了更高的开关速度,同时为大多数TO-247-3L IGBT,Si-MOSFET和SiC-MOSFET零件提供了“嵌入式”替代解决方案。这意味着可以在不更改现有栅极驱动电路的情况下影响系统升级以提高性能和效率。可以基于Q rr降低50%来降低导通损耗。对于大电流使用,需要一个小型,低成本的RC缓冲器,这也简化了EMI设计。
适用于UF3C FAST系列的应用包括全系列的硬开关电路,例如通常用于EV充电的有源整流器和图腾柱PFC级,电信整流器和服务器电源。
UF3C FAST系列以UnitedSiC的Gen-3 SiC晶体管技术为基础,将更快的SiC JFET与定制设计的Si-MOSFET集成在一起,以实现常关操作,高性能体二极管和易于栅极驱动MOSFET的理想组合。 与其他宽带隙技术相比,SiC共源共栅器件支持标准的12 V栅极驱动,并确保了雪崩防护等级(100%经过生产测试)。
“ UnitedSiC的新型FAST SiC FET系列易于使用,并提供了出色的性价比选择,” UnitedSiC工程副总裁Anup Bhalla说道。“该系列为设计工程师提供了从大功率设计中获得更高效率的机会。”
该范围包括以下零件编号:UF3C120040K3S(1200 V / 35mΩ),UF3C065030K3S(650 V / 30mΩ)和UF3C065040K3S(650 V / 42mΩ)。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由无名指翻译自UnitedSiC,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
UnitedSiC拓展UF3C FAST系列产品,新增TO-247-4L 4引脚开尔文(Kelvin)封装器件
2018年12月3日,碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC通过在TO-247-4L 4针 开尔文连接封装选项中,引入更多范围的650 V和1200 V高性能碳化硅FET,来扩展了其UF3C FAST系列产品。 基于高效的共源共栅配置,该新系列以能够实现高功耗的封装为设计人员提供了非常快速的开关,高功率器件。
行业资讯 发布时间 : 2019-11-16
电动车对6英寸SiC晶圆需求广阔,兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商UnitedSiC提供完美解决方案
因为其领先的性能优势,电动汽车市场对 SiC 器件的需求与日俱增。据 TrendForce 集邦咨询研究显示,随着电动车渗透率不断升高,预估 2025 年全球电动车市场对6英寸SiC晶圆需求可达169万片。
行业资讯 发布时间 : 2021-12-24
Twente太阳能团队选择UnitedSiC碳化硅FET器件设计太阳能汽车
来自Twente大学和Saxion Hogeschool的荷兰太阳能汽车团队已从SiC功率半导体制造商UnitedSiC选择了碳化硅(SiC)器件,以参与10月的一次重大太阳能赛车竞赛。UnitedSiC向Solar Team Twente提供了其FAST系列SiC FET的产品样品。
行业资讯 发布时间 : 2019-11-21
【经验】SiC FET关断时VDS尖峰和振荡问题的解决方法
UnitedSiC的SiC FET能直接替代Si MOSFET,但其高开关速度也可能会使关断VDS电压产生尖峰和震荡,使系统的EMI变差。关断时的VDS尖峰和振荡产生的根本原因是高速开关过程中di/dt在杂散电感上产生了较高的感应电压。本文将给出并对比几种解决方案。
设计经验 发布时间 : 2020-11-02
UnitedSiC SiC FET/SiC JFET/SiC肖特基二极管选型指南
目录- Product introduction SiC FETs SiC JFETs SiC Schottky Diodes
型号- UJ3D06506TS,UJ3D1220KSD,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3C065040B3,UJ4C075023K3S,UJ3D1210KS,UF3N090350,UF3C SERIES,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UJ3N1701K2,UF3N SERIES,UJ3N065025K3S,UJ3N065080K3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3N170400,UF3C065030K4S,UF3N120140,UF3N065600,UF3N170400B7S,UJ3D06510TS,UJ3D06560KSD,SC SERIES,UJ3C065030B3,UJ3D1210K2,UF3SC065007K4S,UF3C120400K3S,UJ4SC SERIES,UF4C120053K4S,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UJ3D1202TS,UF3C065080B7S,UJ3D1220K2,SC,UF3C065080T3S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UF3SC,UF4C120053K3S,UF3C120080K4S,UF3N090800,UJ4C075018K3S,UJ3D1210TS,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ3D06530TS,UJ4C075060K3S,UJ3N SERIES,UJ3N120035,UF4C120070K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC120016K4S,UJ4C SERIES,UJ4C075018K4S,UJ3C065080T3S,UF4SC120030K4S,UJ3N120035K3S,UJ3D06504TS,UJ3C065030K3S,UJ3D1205TS,UF3C065080B3,UJ3N065080,UJ4SC075009K4S,UJ3N120070K3S,UJ4C075033K3S,UF3SC SERIES,UF4C120070K4S,UF3C065030T3S,UJ3D06508TS,UJ3D1210KSD,UJ3D06516TS,UJ3D06512TS,UJ3D1250K2,UJ4SC075006K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120150B7S,UJ3C SERIES,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3D1250K,UJ3D06520TS,UF3SC120009K4S,UF4C SERIES,UJ3N065025,UF3C120080B7S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UJ3C065080K3S,UJ3D1725K2,UJ3N120065K3S,UJ3D,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ3D06520KSD,UF3N065300,UF3C,UF3N,UJ3N120070,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UJ3N,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UJ3D SERIES,UF3SC065040B7S,UF3C065080K4S
1200V Gen 4 SiC FETs with industry-best performance deliveroptimal SiC power solutions to high-voltage markets
型号- UF4SC120030K4S,UF4C120053K3S,UF4C120030K4S,UF4SC SERIES,UF3C120040K4S,UF4C SERIES,UF4C120070K3S,UF4C,UF4C120070K4S,UF4C120053K4S,UF4SC120023K4S,UF4SC
SiC FET User Guide
型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF4SC120030K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UJ3C065030K3S,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UF4SC120053K4S,UJ4SC075009K4S,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF4SC,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3C065030K4S,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF4SC120070K4S,UF3CXXXYYYK4S,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UF3SC,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ4C075018K3S,UF3C,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UF4SC120053K3S,UF4SC120070K3S,UF SERIES,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S
全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商——UnitedSiC(联合碳化硅)
UnitedSiC(联合碳化硅)开发出各种创新的碳化硅场效应晶体管(FET)、碳化硅结型场效应晶体管(JFET)和碳化硅肖特基二极管(Schottky Diode)等功率半导体器件,且可定制,为电动汽车充电器,DC-DC转换器,牵引变流器等。
品牌简介 发布时间 : 2019-11-22
具有业界出众性能的1200V第四代SiC FET为高压市场提供优秀SiC功率解决方案
UnitedSiC扩充了1200V产品系列,将突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧,现以TO247-4L(开尔文连接)封装提供,而1200V的53毫欧和70毫欧SiC FET还以TO247-3L封装提供。
原厂动态 发布时间 : 2022-06-29
UnitedSiC SiC FET User Guide
型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3SC065040D8S,UJ3C065030K3S,UF3SC065030D8S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UJ4SC075009K4S,CRCW201010R0JNEFHP,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3C065030K4S,CRCW25124R70JNEGHP,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,C1206C680JGGAC7800,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,C1206C151JGGAC7800,UJ3C065030T3S,UJ4C,UF3C065030K3S,UJ3C120150K3S,UF3C120400B7S,UJ4C075060K4S,CRCW20104R70JNEFHP,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF3CXXXYYYK4S,202R18N101JV4E,SR1206FR-7W4R7L,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,KTR18EZPF10R0,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UF3SC,KTR18EZPF4R70,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,CRCW251210R0JNEGHP,UJ3C,UJ4C075018K3S,UF3C,UF3SC065030B7S,C1206C221JGGAC7800,C1210C331JGGACTU,SR1206FR-7W10RL,UJ4C075023K4S,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UJ4C075033K4S,UJ4SC075011K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S,202R18N470JV4E
SiC FET的起源和发展—与SiC MOS及其他替代技术的性能比较
使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是,碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本文追溯了SiC FET的起源和发展,直至最新一代产品,并将其性能与替代技术进行了比较。
原厂动态 发布时间 : 2022-06-21
【产品】UnitedSiC推出新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET 非常适合主流的800V总线结构
UnitedSiC宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列,这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构,这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源等应用。
新产品 发布时间 : 2022-05-21
UnitedSiC新推第四代SiC FET UJ4C系列,750V额定电压,具有同类最佳的性能指标
UnitedSiC推出新的第四代UJ4C系列SiC FET具有突破性的性能水平,旨在加速汽车和工业充电、电信整流器、数据中心PFC DC-DC转换以及可再生能源和储能应用中的功率性能提升。
原厂动态 发布时间 : 2020-12-25
【产品】1200V/80mΩ的SiC FET UF3C120080K3S,最高工作温度175℃
UnitedSiC的SiC FET(碳化硅场效应晶体管)采用了独特的共源共栅(cascode)电路配置,将常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装在一起,从而构建出常关型SiC FET器件。UF3C120080K3S是一款1200V的SiC FET。
新产品 发布时间 : 2020-12-12
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论