世强平台可提供全方面的器件，助力采用氮化镓技术符合Type-C协议的60W PD快充设计

氮化镓快充完整解决方案：原理图、BOM、设计参考、免费样品

本方案采用GaN FET作为主开关器件，并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件，实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。所有推荐产品均可以提供免费样品，100%保证原厂正品，同时保证提供最具竞争力的代理商价格。

上海贝岭“功率器件＆电源IC”在PD快充中的应用

USB-PD，英文全称为USB Power Delivery，是USB的标准化组织USB-IF推出的一个快速充电的标准。目前为止，我们现有的使用消费类产品大部分停留在USB-PD 3.0的时代。本文介绍上海贝岭“功率器件＆电源IC”在PD快充中的应用。

【应用】超级MOS可用于PD快充中，在EMI和效率上拥有出色的性能表现

随着人们生活节奏的加快，快充在充电领域中伴演着非常重要的角色。为了出门携带方便，充电器小型化是必然，提高充电器功率密度已成为重点研究课题。这样就需要提高功率器件的开关频率、使用新的半导体材料和生产工艺。比如超结MOS使用，使用GaN和SiC材料等。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

沁恒USB PD快充协议芯片CH230，3.3~12.5V宽电压输入，支持VBUS余电泄放功能

沁恒CH230为SOT23-6封装的Type-C单口快充协议芯片，支持PD3.0/2.0及PD PPS快充协议，支持TL431等各类电压基准或DC-DC系统的FB灌电流调节，并集成VBUS余电泄放功能。

南芯推出高集成度GaN解决方案SC3050/3056，DFN5x6封装，助力于实现快充电源产品小型化

为了应对中小功率的PD快充电源市场，SOUTHCHIP南芯推出了高集成度的氮化镓功率芯片SC3050/SC3056，将控制器、驱动、GaN集成在一起，采用DFN5x6小体积封装；，独特的EPAD设计用于大电流和最好的电气性能，引脚功能区块化，简化PCB设计，得到极小化PCB面积和更好的热体验。

20W PD快充的工作原理和构成

本文合科泰给大家介绍20W快充产品以及其内部工作原理、结构和所需要的电子元器件等。20W快充可能用到的分立器件产品包括整流桥、快恢复整流二极管、整流二极管、开关MOS管、整流MOS管、VBUS开关MOS管等，采用何种器件根据客户具体的需求决定。

南芯科技布局全功率段PD快充：PFC控制芯片SC3201无需辅组绕组，集成THD优化，支持分段式输出

随着现在百瓦大功率适配器的普及， 传统反激架构已不能满足日益增加的大功率适配器的高开关频率、高功率密度、高效率要求。SOUTHCHIP南芯科技推出新一代PFC控制芯片——SC3201，可满足中大功率充电器、适配器对功率因数和输入电流谐波的要求。具备无需辅组绕组、集成THD优化、支持分段式输出等核心技术。

纯国产技术30W~120W氮化镓PD快充，聚能创芯提供GaN功率器件产品和技术解决方案

与Si元器件相比，GaN具有高击穿电场强度、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点，可大幅提升器件与系统的功率密度、工作频率与能量转换效率。11月1日，聚能创芯与世强达成战略合作，授权世强全线代理旗下GaN功率器件和GaN外延片等产品，相关资料已上线平台。

微盟电子24V全电压D型GaN，μA级启动电流和50MW极低待机功耗，适合PD快充应用场景

MicrOne ME8138是一款高性能电流模式PWM控制器，内置650V GaN。内阻800mΩ，芯片采用恒压恒功率控制。芯片具有低至μA级别的启动电流和极低的待机功耗。单体封装采用SOP8，功率覆盖18W、20W、22W、24W等规格的PD小型化快充，搭配ME84XX同步IC，整机高功率密度，性价比高且安全可靠。是继ME8115之后的另一设计精品。

【IC】诚芯微USB PD 3.0快充协议芯片CX2906C，支持多种PDO功率和Type-C插入自动唤醒

诚芯微CX2906C USB PD 3.0快充协议芯片，支持外部电阻设置PDO功能——5/9/12/15/20V输出电压，支持Type-C设备插入自动唤醒，智能识别插头正插与反插，并实现连接。

美禄科技授权世强硬创代理氮化镓功率器件、平面/超结MOS等产品

产品广泛应用于PD快充、户外电源、UPS、储能、逆变器、充电桩、数字服务器、马达驱动、PD快充、电源适配器、LED照明、通讯电源、白色家电、工业控制、光伏逆变、移动储能等领域。

慕尼黑上海电子展圆满落幕：能华半导体以创新之名，亮GaN技术之锋芒

2024年7月8至10日，备受瞩目的慕尼黑上海电子展圆满落下帷幕。在此次盛会中，CorEnergy能华半导体在展会上以创新与实力并重的产品阵容惊艳亮相，展示出了一系列以D-Mode氮化镓技术为基础的功率氮化镓器件以及6寸和8寸的D- Mode和E-Mode氮化镓晶圆产品，目前亦是国内为数不多的研发产出8寸氮化镓晶圆的厂商。