【产品】三款集电极电流仅0.02mA的NPN型硅晶体管，专用于射频放大器
AUK作为KODENSHI（可天士）集团旗下品牌，专注于硅半导体，化合物半导体，光传感器领域，向全球提供国际水准的核心器件，广泛应用于家用电器，工业设备，IT产品等尖端数码技术产品。其中，硅晶体管作为硅半导体的一种可变电流开关，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多重功能，常用作放大器或电控开关。晶体管开关频率高，响应速度快，准确性高；耐压范围大，结实可靠。
2SC5345EF、2SC5345S、2SC5345UF NPN型硅晶体管是AUK（KODENSHI收购）公司推出的一系列性能优异的NPN型硅晶体管，电流变换频率高，特征频率fT为550MHz，共基极输出电容小Cob=1.4pF，响应速度快，可用于射频放大器。
2SC5345EF、2SC5345S、2SC5345UF NPN型硅晶体管的基本参数最大额定值相同，当工作温度为25℃时，集电极-基极击穿电压BVCBO为30V，集电极-发射极击穿电压BVCEO为20V，发射极-基极击穿电压BVEBO为4V；集电极-发射极饱和压降VCE(sat)为0.3V，集电极电流IC为20mA，集电极耗散功率PC为150mW，有利于驱动负载，消耗电能极少；结温Tj为150℃，存储温度Tstg为-55~150℃，可以满足工业级温度要求，适用于高低温工作环境中。其详细电气参数见下表。
参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
集电极-基极击穿电压 | BVCBO | IC=10μA，IE=0 | 30 | - | - | V |
集电极-发射极击穿电压 | BVCEO | IC=5mA, IB=0 | 20 | - | - | V |
发射极-基极击穿电压 | BVEBO | IE=10μA, IC=0 | 4 | - | - | V |
集电极截止电流 | ICBO | VCB=30V, IE=0 | - | - | 0.5 | μA |
发射极截止电流 | IEBO | VEB=4V, IC=0 | - | - | 0.5 | μA |
直流电流放大系数 | hFE | VCE=6V, IC=1mA | 40 | - | 240 | - |
集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | IC=10mA, IB=1mA | - | - | 0.3 | V |
特征频率 | fT | VCE=6V, IE=-1mA | - | 550 | - | MHz |
共基极输出电容 | Cob | VCB=6V, IE=0, f=1MHz | - | 1.4 | - | pF |
2SC5345EF、2SC5345S、2SC5345UF NPN型硅晶体管的产品特点：
电流变换频率高：特征频率fT=550MHz [VCE=6V,IE=-1mA]
输出电容小：典型输出电容Cob=1.4pF，[VCB=6V,IE=0]
基极时间常数小、增益高
噪声响应好
2SC5345EF、2SC5345S、2SC5345UF NPN型硅晶体管的市场应用：
射频放大器
2SC5345EF、2SC5345S、2SC5345UF NPN型硅晶体管的封装尺寸有所不同，2SC5345EF采用SOT-523F封装，2SC5345S采用SOT-23封装，2SC5345UF采用SOT-323F封装，具体如下图1、图2、图3（单位：mm），其中引脚连接分布为1-基极，2-发射极，3-集电极。
图1 2SC5345EF NPN型硅晶体管的封装尺寸示意图
图2 2SC5345S NPN型硅晶体管的封装尺寸示意图
图3 2SC5345UF NPN型硅晶体管的封装尺寸示意图
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品类：SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
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可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN；IC包装Tray/Tube/Tape；IC厂商不限，交期1-3天。支持IC测试（FT/SLT），管装、托盘装、卷带装包装转换，IC打印标记加工。
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测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
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