【产品】三款集电极电流仅0.02mA的NPN型硅晶体管，专用于射频放大器

时间： 2019-01-17 来源：AUK（KODENSHI收购）

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AUK作为KODENSHI（可天士）集团旗下品牌，专注于硅半导体，化合物半导体，光传感器领域，向全球提供国际水准的核心器件，广泛应用于家用电器，工业设备，IT产品等尖端数码技术产品。其中，硅晶体管作为硅半导体的一种可变电流开关，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多重功能，常用作放大器或电控开关。晶体管开关频率高，响应速度快，准确性高；耐压范围大，结实可靠。

2SC5345EF、2SC5345S、2SC5345UF NPN型硅晶体管是AUK（KODENSHI收购）公司推出的一系列性能优异的NPN型硅晶体管，电流变换频率高，特征频率f_T为550MHz，共基极输出电容小C_ob=1.4pF，响应速度快，可用于射频放大器。

2SC5345EF、2SC5345S、2SC5345UF NPN型硅晶体管的基本参数最大额定值相同，当工作温度为25℃时，集电极-基极击穿电压BV_CBO为30V，集电极-发射极击穿电压BV_CEO为20V，发射极-基极击穿电压BV_EBO为4V；集电极-发射极饱和压降V_CE(sat)为0.3V，集电极电流I_C为20mA，集电极耗散功率P_C为150mW，有利于驱动负载，消耗电能极少；结温T_j为150℃，存储温度T_stg为-55~150℃，可以满足工业级温度要求，适用于高低温工作环境中。其详细电气参数见下表。

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
集电极-基极击穿电压	BV_CBO	I_C=10μA，I_E=0	30	-	-	V
集电极-发射极击穿电压	BV_CEO	I_C=5mA, I_B=0	20	-	-	V
发射极-基极击穿电压	BV_EBO	I_E=10μA, I_C=0	4	-	-	V
集电极截止电流	I_CBO	V_CB=30V, I_E=0	-	-	0.5	μA
发射极截止电流	I_EBO	V_EB=4V, I_C=0	-	-	0.5	μA
直流电流放大系数	h_FE	V_CE=6V, I_C=1mA	40	-	240	-
集电极-发射极饱和电压	V_CE(sat)	I_C=10mA, I_B=1mA	-	-	0.3	V
特征频率	f_T	V_CE=6V, I_E=-1mA	-	550	-	MHz
共基极输出电容	C_ob	V_CB=6V, I_E=0, f=1MHz	-	1.4	-	pF

2SC5345EF、2SC5345S、2SC5345UF NPN型硅晶体管的产品特点：

电流变换频率高：特征频率f_T=550MHz [V_CE=6V,I_E=-1mA]

输出电容小：典型输出电容C_ob=1.4pF，[V_CB=6V,I_E=0]

基极时间常数小、增益高

噪声响应好

2SC5345EF、2SC5345S、2SC5345UF NPN型硅晶体管的市场应用：

射频放大器

2SC5345EF、2SC5345S、2SC5345UF NPN型硅晶体管的封装尺寸有所不同，2SC5345EF采用SOT-523F封装，2SC5345S采用SOT-23封装，2SC5345UF采用SOT-323F封装，具体如下图1、图2、图3（单位：mm），其中引脚连接分布为1-基极，2-发射极，3-集电极。

图1 2SC5345EF NPN型硅晶体管的封装尺寸示意图

图2 2SC5345S NPN型硅晶体管的封装尺寸示意图

图3 2SC5345UF NPN型硅晶体管的封装尺寸示意图

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