国基南方55所亮相2023世界半导体大会暨南京国际半导体博览会，聚焦射频电子、功率电子、光电显示与探测重点产业板块
7月19日-21日，2023世界半导体大会暨南京国际半导体博览会在南京国际博览会议中心隆重举办，国基南方、55所受邀参展。
本次展会，国基南方55所聚焦射频电子、功率电子、光电显示与探测重点产业板块，全面展示包括射频GaN功率器件、声表滤波器和晶体材料、SiC电力电子器件和模块、微显示OLED器件和模组、封装外壳与掩膜版等在内新技术、新产品，让现场观众多方位领略国基南方、55所在半导体元器件领域的深厚积淀和最新创新成果。
作为南京本地半导体盛会，本届大会以“芯纽带，新未来”为主题，聚焦行业新市场、新产品、新技术，云集1000多名半导体领域专家学者、领军企业代表，举办多场论坛和专项活动。展会现场，不少专业观众、企业嘉宾和投资者驻足国基南方、55所展位前，深入了解国基南方、55所产业发展现状和布局。市场团队同各企业客户就行业热点、市场趋势和前沿技术展开密切交流，充分了解企业需求，建立了相关客户合作渠道。
在本届展会闭幕式上，国基南方、55所荣获“最佳展示奖”。未来，国基南方、55所将继续聚焦国家半导体重大战略，围绕5G通信、新能源汽车及AR/VR等数字经济建设领域持续攻关核心技术和产品，锻造产业长板，满足射频电子、功率电子、光电显示等半导体核心芯片领域自主保障需求，为国家半导体产业高质量发展贡献更多力量。
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型号- TGSP1130AC,TGP A2D20F-EVB-G,TGSP2220AC,TGFE0220D,TGSP11120AC,TGSP1A20BE,TGSP2A20DE,TGLA160AB,TGSP1342CD,TGSP1142BC,TGLA130AB EVB E,TGPA2D40G,TGSP1522AC,TGSP2340AD,TGLA130AB,TGSI1140DE,TGPA2D20F-EVB-A2,TGLA150AB-EVB-A,TGSF1A20EE,TGLA150AB-EVB-B,TGPS04100K,TGLA150AB-EVB-C,TGSP2140AC,TGSP2520DE,TGSP1222BC,TGSP1522DE,TGSB2140AC,TGFE0120S,TGSP1322CD,TGLA130AB EVB-C,SP2T,TGLA130AB EVB-D,TGSB1120AC,TGPS02140K,TGFE0220D EVB-B,TGFE0220D EVB-C,TGFE0220D EVB-A,TGPA2D30G,TGLA150AB,TGSF1220AC,TGLA150AB-EVB-D,TGSP1124AC,TGPA2D40G-EVB-F,TGPA2D40G-EVB-E,TGPA2D40G-EVB-D,TGSB2320AD,TGPS04190K,TGSF2220AC,TGSP1320AD,TGSB1140AC,TGLA130AB-EVB-A,SP4T,TGPA2D40G-EVB-C,TGPA2D40G-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-1,TGPA2D40G-EVB-A,TGLA152CA-EVB-B,TGSF1520EE,TGLA152CA-EVB-A,TGLA152CA-EVB-D,TGLA152CA-EVB-C,TGLA130AB-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-C,TGPA2D20F-EVB-D,TGPA2D20F-EVB-E,TGPA2D20F-EVB-F,TGPA2D20F-EVB-A,TGPA2D20F-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-K,TGSP1520AE,TGPA2D20F-EVB-L,TGPA2D20F-EVB-M,TGLA152CB,TGLA152CA,TGSF2A20EE,TGPA2D20F-EVB-H,TGPA2D20F,TGPA2D20F-EVB-J,TGSP1540CC,TGLA170AB,TGPS14110K,TGSP1140AC,TGPA2D30G-EVB-D,TGPA2D30G-EVB-C,TGPA2D30G-EVB-B,TGPA2D30G-EVB-A,TGLA1 60AB,TGSI1142DE,TGSP1342CD-EVB-K,TGSP1320CD,TGSP2A40DE,TGPA2D30G-EVB-H,TGPA2D30G-EVB-G,TGPA2D30G-EVB-F,TGPA2D30G-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-G,TGPA2D10C-EVB-D,TGPA2D10C-EVB-C,TGPA2D10C-EVB-F,TGPA2D10C-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-B,TGPA2D10C,TGPA2D10C-EVB-A,TGSP1220AC,TGSP2540CD,TGPS02160L,TGLA170AB EVB-A,TGLA170AB EVB-B,TGSF1120AC
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UMS 2019年推出了一款140W的氮化镓高电子迁移率功率晶体管CHKA012A99F。该产品能够为4GHz以下的大功率应用提供比较好的解决方案。采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，SIC衬底，输出功率可达140W，小信号增益达19dB，CHKA012A99F能够在高电压（50V）条件下工作，具有氮化镓器件的特有的高附加效率（高达76％）。
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服务
可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量： 1支 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
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