【选型】国产SIC MOSFET IV1Q06040T4用于V2G模块，导通电阻低至40毫欧
V2G是Vehicle-to-grid（车辆到电网）的缩写。V2G描述了电动汽车与电网的关系。当电动汽车不使用时，车载电池的电能销售给电网的系统。如果车载电池需要充电，电流则由电网流向车辆。主功率部分客户采用全SIC方案设计。
某客户在V2G项目上需求一款低导通电阻的SIC MOSFET；具体参数要求650V /40mo；输入电压345-418VAC，输出电压240-430Vdc；最大充电电流36A，用来提高整机系统的功率因素，要求做到0.99。本文推荐上海瞻芯电子的SIC MOSFET IV1Q06040T4 ，其导通电阻低至40毫欧。
下图是IV1Q06040T4在V2G模块上的应用框图：
该级为双向PFC电路，正向工作时采用单周控制模式，将三相交流电整流输出800V直流电。
碳化硅（SiC）MOSFET采用了一种全新的技术，与硅相比，IV1Q06040T4自带快速恢复体二极管，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性；它采用了定占空比变频控制的模式，根据充电电压大小不同，可以进行恒压充电或恒流充电；另外，它具有很小的寄生电容，因此，整个系统的具有更高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET IV1Q06040T4导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率；另由于其高温工作特性，高工作结温，-55-175℃，大大提高了高温稳定性。
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产品型号
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品类
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Qualification
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VDS（V）
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RDS(ON) （mΩ）
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ID（TC=25°C）（A）
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VTH（ TJ =25°C）（V）
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VTH（ TJ =175°C）（V）
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Qg（nC）
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Operating Junction Temperature（°C）
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Package
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IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
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汽车级
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650V
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25mΩ
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99A
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2.8V
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2.0V
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125.0nC
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-55°C to 175°C
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TO247-4
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