【选型】国产隔离驱动NSI6611ASC-Q1SWR助力汽车SIC逆变器，驱动电流能力高达10A

【选型】国产单通道隔离驱动NSi6801C-DSWFR用于伺服器，瞬态抗扰度为150kVμs

某用户在验证伺服驱动器时，需要找一款隔离驱动，最好是国产的，推荐了纳芯微的单通道隔离驱动器NSi6801C-DSWFR，它的共模瞬态抗扰度为150kVμs，驱动侧电源可达32V，可以应用于伺服驱动器。

【选型】可替代东芝TLP350的大电流型隔离驱动类光耦，供电电压更广为14-40V

本文就大电流型隔离驱动类光耦举例说明，将数明SLMI350DB-DG 与友商东芝 TLP350（11-10C4S）两者型号的各项参数作下比较，以方便大家对其有更加深刻的理解。

【选型】国产光耦隔离驱动SiLM534xT系列助力充电桩设计，驱动电流1.0A至4.0A峰值输出可选，可贴在PCB背面

为了促进消费者购买电车，首先要解决历程焦虑。这就要求与之配套的重要基础设施⸺ 充电桩也需要跟上脚步。充电桩的数量、快速充电、供充电桩运营管理平台的需求会随之增多，本文重点推荐充电桩中功率模块：实现交流输入，到给电池直流输出转换中的隔离驱动方案。

【技术】如何准确计算IGBT的驱动参数？

IGBT可靠的开通和关断是变频器稳定运行的核心。为了实现IGBT的通断，需要对IGBT的门极进行充电以达到门极开通电压Vge_on，以及对门极进行放电至门极关断电压Vge_off。因此，正确计算IGBT的驱动参数是保证其可靠通断的首要任务。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【经验】如何正确测试IGBT门极驱动波形？

本文以vincotech E3半桥IGBT模块（A0-VS122PA600M7-L759F70）和PI隔离驱动（SID1182K）为例，介绍在实际的IGBT驱动电路中如何正确测试门极驱动波形。

【应用】高绝缘电压的隔离驱动NSI6602B-DSPNR用于户外电源，CMTI达150kV/μs

针对户外电源所使用的隔离驱动，本文推荐纳芯微电子NSI6602B-DSPNR隔离驱动器，峰值电源电流4.0A或6.0A；共模瞬态抗扰度150kV/μs；绝缘电压3000V；工作温度–40℃至+125℃；采用SOP16（150mil）标准封装。

【IC】数明半导体SiLM5350隔离驱动器，SiC驱动优选方案稳定高效助力工业与汽车应用

为了让SiC器件在这些大功率、高电压、高开关速度的应用中发挥出全部的特性，其驱动器的选择也至关重要。数明半导体的SiLM5350作为一款单通道30V、10A带米勒钳位的隔离驱动器，具有强大的驱动能力，能够高效、稳定地驱动SiC（碳化硅）等新型半导体器件，确保功率器件在各种复杂环境下高效的运行。

【IC】数明半导体新推带米勒钳位功能的双通道隔离驱动器SiLM8260，具备10A的拉电流和灌电流能力

数明半导体最新推出的SiLM8260是一款集成了米勒钳位功能的双通道隔离驱动芯片，它精准地满足了上述严苛条件。SiLM8260具备10A的拉电流和灌电流能力，能够直接驱动SiC、IGBT等大功率器件，确保高效且稳定的运行。其米勒钳位功能尤为出色，能够有效抑制门极驱动因对管开关而引起的电压尖峰，从而避免上、下管直通问题，进一步增强了系统的稳定性和可靠性。

【应用】如何正确使用IGBT驱动解决米勒电容导致寄生导通问题

本文以Silicon Labs门极智能驱动Si8285为例，介绍如何正确使用IGBT门极智能驱动解决米勒电容导致的寄生导通问题以提高产品可靠性。

【应用】兼容光耦隔离驱动器NSI6801用于750W伺服驱动器，共模抑制比达150KV/μS

针对小功率的750W的紧凑型伺服驱动器，需要通过一款隔离驱动芯片来对控制单元发出的驱动信号进行隔离保护。本文推荐采用纳芯微推出的NSI6801兼容光耦隔离驱动器，系统鲁棒性上满足150kV/μs最小共模瞬态抗扰度，5A峰值拉电流和灌电流输出。

【应用】国产数明隔离驱动器SLMI334CG-DG用于伺服驱动器，输出电流可达4A，工温–40至125℃

SLMI334CG-DG隔离驱动器用于伺服驱动器的优势：SLMI334CG-DG隔离驱动器是一种先进的光兼容单通道隔离IGBT栅极驱动器，具有主动保护功能；可提供4A峰值输出电流。