【产品】-20V/-5A的P沟道MOSFET GDSSF2449，封装为TSOP-6
固锝推出的P沟道MOSFET GDSSF2449采用先进的沟槽技术，可提供超低的RDS（ON），极低的栅极电荷，并且可在低至2.5V的栅极电压下工作，适合用作负载开关、PWM应用或电源管理。
参数方面，漏源电压-20V，连续漏极电流为-5A，导通电阻典型值为49mΩ（VGS=-4.5V、ID=-5A），结到环境的热阻为110℃/W，采用TSOP-6封装。
图一：原理图和实物图及引脚定义
GDSSF2449产品的一般特性：
●VDS = -20V，ID = -5A
RDS（ON）<100mΩ@ VGS = -2.5V
RDS（ON）<60mΩ@ VGS = -4.5V
●高功率和电流处理能力
●无铅
●表面贴装封装
最大额定值（Ta=25℃，除非另有说明）
电气特性（TA = 25℃，除非另有说明）
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