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【视频】VF低至1.23，新封装，减薄型SiC快速助力工业应用国产化|世强硬创新产品在线研讨会
在世强硬创新产品在线研讨会——国产工业专场中，泰科天润技术专家为我们做了演讲。视频介绍了国内SiC器件领导者—泰科天润及SiC产品，泰科天润在原有的4寸线基础上又增加了6寸SiC生产线，产能大幅度提升。新型DFN紧凑型封装，减薄型工艺，助力电源适配器、光伏逆变、单/三相整流电源等应用快速国产化。
新产品 发布时间 : 2020-12-23
【产品】国内首家AEC-Q101认证的SiC器件，助力新能源汽车性能升级与器件国产化 | 视频
本视频主要讲解了泰科天润车规级SiC二极管在车载OBC上面的多种应用方案，以及在高低温严格测试环境下的表现，主要产品涵盖650V 和1200V，10A到40A的产品，及不同的封装形态。
新产品 发布时间 : 2021-05-29
【视频】新型DFN表贴封装SiC器件助力提升5G基站电源功率密度与器件国产化
在5G＆下一代通信及新材料和连接器专场世强在线研讨会中，泰科天润技术专家为我们做了演讲。本视频泰科天润介绍新型DFN表贴封装SiC的产品特性和优势，详细阐述了应用于5G宏基站的优势，以及相应的应用方案。
新产品 发布时间 : 2020-09-25
泰科天润（GPT）SiC碳化硅芯片/SiC碳化硅二极管选型指南
目录- Company Profile SiC Chip/SiC Devices
型号- G3S06506D,GW3-S12050,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G4S06508HT,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G3S06510C,G3S06510D,G5S12020A,G3S12020A,G3S06506H,G3S06510A,G4S12020D,G3S12020B,GW1-S3300.6,G3S06510B,G5S12015P,GW3-S065100,G3S06505R,G3S06004J,G3S12003R,G5S06508AT,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G5S12015A,G3S06505A,G3S12003A,G5S06510HT,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S06505H,G3S12003H,G3S06504R,G5S06510PT,G3S06520L,G3S06520H,G5S12002R,GAS06540B,G3S06560B,G3506008J,G3S12002R,G3S06520P,G3S06504C,G3S06504A,G5S06508HT,G3S06516B,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06504H,G3S06520B,G3S12002D,G5S12010A,G5S06508PT,G3S06520A,G3S06504D,G3S12002H,G3S06503R,GWA-S06520,G3S06540PP,G3S065100P,G5S06506CT,G4S06508AT,GW3-S17050,G5S06505AT,G3S06503A,GW3-S12020,G3S12040PP,G5S06508QT,G3S06503H,G5S06504QT,G4S06510HT,G3S06503C,G3S06503D,G3S06530L,G5S12020H,GW3-S06550,G4S06510PT,G4S06515AT,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06530P,G3S06502R,GW5-S12010,G3S06502A,G4S06510AT,GW3-S12010,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,GW5-S12015,G3S06530A,G3S06502D,G3S12040B,G3S06502C,GW3-S06520,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,GW3-S17010,GW5-S12002,G5S06510DT,G4S06515DT,GW3-S12002,GW3-S12003,GW3-S12005,GAS06520A,G3S17005C,GW5-S12008,G3S17005A,G3S12010H,GAS06520H,G3S06508R,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G3S17020B,GW3-S06530,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,G3S12050P,GAS06520L,GW3-S33050,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S06510AT,G3S06508D,GW3-S17005,G3S06508C,G5S12002C,G3S06508A,G5S12002A,G3S12030PP,G3S06540B,G5S12030B,G3S12010A,G3S12010B,G3S12010C,G3S12010D,G3S06508H,G3S06512B,GW1-S33001,GW1-S33002,G5S06510QT,G3S12005P,GW1-S33005,G3S06006J,G3S12005R,GW3-S06506,GW3-S06508,GW3-S06502,G3S06010J,GW3-S06503,GW3-S06504,G5S06508CT,GW3-S06505,GW5-S12020,G4S06510DT,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G3S06510M,GW3-S06510,G3S06506U,G3S06506R,G3S06510K,G3S06510L,G3S12020L,G3S06510H,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06550P,G3S06510R,G5S06508DT,G3S06510P,G3S12020U
蓉矽半导体碳化硅产品在车载充电机中的应用：已通过AEC-Q101测试和HV-H3TRB考核
为了提升充电效率，延长续航里程，800V高压平台成为主流选择。使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。NOVUSEM自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。
应用方案 发布时间 : 2024-07-20
【IC】数明半导体SiLM5350隔离驱动器，SiC驱动优选方案稳定高效助力工业与汽车应用
为了让SiC器件在这些大功率、高电压、高开关速度的应用中发挥出全部的特性，其驱动器的选择也至关重要。数明半导体的SiLM5350作为一款单通道30V、10A带米勒钳位的隔离驱动器，具有强大的驱动能力，能够高效、稳定地驱动SiC（碳化硅）等新型半导体器件，确保功率器件在各种复杂环境下高效的运行。
产品 发布时间 : 2024-04-09
【视频】2023年1月12日碳化硅＆氮化镓新技术研讨会
EPC、英诺赛科、西南集成等顶尖厂商带来SiC MOS、GaN FET、车规级SiC二极管等全新产品和技术。
活动 发布时间 : 2023-11-30
扬杰科技亮相2024全球车规级功率半导体峰会暨优秀供应商创新展，荣获“车规级功率半导体杰出供应商”奖项
聚焦行业趋势，共话产业未来， 2024年5月30日，为期一天半的2024全球车规级功率半导体峰会暨优秀供应商创新展（简称GAPS）在杭州举行。本届大会以“车启芯时代，引领芯未来”为主题，吸引全产业链多家知名公司参展，扬杰科技作为功率半导体行业龙头企业，携带众多产品亮相本次峰会。
原厂动态 发布时间 : 2024-06-13
芯达茂出席2023大湾区数字能源产业发展高峰论坛，分享IGBT和碳化硅功率器件在储能产品上应用趋势
近日，2023大湾区数字能源产业发展高峰论坛在深圳市南山区三诺智慧大厦隆重举行，XDM芯达茂应邀出席本次论坛。会上，芯达茂微电子副总经理李邦能分享了IGBT和碳化硅功率器件在储能产品上应用趋势。新能源汽车、充电桩、光伏、储能，以及UPS是IGBT和碳化硅功率器件的五大主要应用领域，SiC芯片价格降低、SiC器件性能优化，以及功率模块封装优化都是碳化硅功率器件面临的挑战。
原厂动态 发布时间 : 2023-12-09
双碳大势下第三代半导体的技术和应用创新：降低导通电阻或成为竞赛制高点
半导体材料的更新换代将会为功率器件开关特性带来质的飞跃。可以这么说，几乎所有硅半导体的功率变换应用场合都适用于第三代半导体氮化镓和碳化硅。在低于650V的应用场合，氮化镓比较合适，而高于650V的应用碳化硅则比较合适。在650V级的应用中，氮化镓和碳化硅将并存。
行业资讯 发布时间 : 2022-03-22
砥砺前行！一同回顾泰科天润的2023年新品发布、大事盘点、展会会议和荣誉奖项
本文中将为大家回顾2023年泰科天润大事记。2023年泰科天润自产自研SiC Mosfet抗冲击鲁棒性特点鲜明、经受市场考验；启动了北京总部基地6/8英寸生产线建设；助力消费类快充、PC电源性能提升；赢得《中国半导体企业创新榜 2023》“化合物半导体科技创新企业榜”上榜企业、2023行家极光奖“中国SiC器件IDM十强企业奖”等荣誉。
原厂动态 发布时间 : 2024-01-10
【产品】泰科天润VF低至1.23，DFN新封装，减薄型SiC，完整批量化4/6寸生产线 | 视频
本视频主要讲解泰科天润SiC二极管在新能源汽车OBC上的应用，展示650V、1200V系列，10A-40A不同封装的产品，并阐述优势特点，其产线通过16949认证、AECQ101认证，也展示其在高低温苛刻测试条件下的优异表现。
产品 发布时间 : 2021-11-24
蓉矽半导体顺利通过2023年度四川省专精特新中小企业认定，致力实现国产SiC器件高质量国产替代
近日，四川省经信厅官网正式发布2023年度四川省”专精特新“中小企业通过名单，蓉矽半导体作为“新认定”企业榜上有名。未来，蓉矽半导体将继续朝着”专业化、精细化、特色化、新颖化“方向发展，注重绿色、低碳发展，减少能源消耗；全面把控产品和服务质量，增强研发投入，持续提高创新能力和质量效益；打造国际竞争力，实现国产SiC器件高质量国产替代。
原厂动态 发布时间 : 2023-11-15
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可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
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