【产品】漏极-源极电压最小值为650V的增强型氮化镓场效应管INN650D01,具有零反向恢复损耗
英诺赛科(Innoscience)推出650V增强型氮化镓场效应管(GaN FET)——INN650D01。
INN650D01增强型GaN FET的特点:
· 超高的开关频率
· 超低的导通电阻RDS (on)
· 快速且可控的下降和上升时间
· 零反向恢复损耗
INN650D01增强型GaN FET的应用:
· AC-DC转换器
· 图腾柱PFC
· 快速充电器
· 高密度功率转换
· 高效率功率转换
INN650D01增强型GaN FET的电气特性(TJ =25℃,除非另有说明):
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型号- EPC2108
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现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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