【产品】漏极-源极电压最小值为650V的增强型氮化镓场效应管INN650D01，具有零反向恢复损耗

时间： 2019-08-30 来源：英诺赛科

技术问答

英诺赛科（Innoscience）推出650V增强型氮化镓场效应管（GaN FET）——INN650D01。

INN650D01增强型GaN FET的特点：

· 超高的开关频率

· 超低的导通电阻R_{DS (on)}

· 快速且可控的下降和上升时间

· 零反向恢复损耗

INN650D01增强型GaN FET的应用：

· AC-DC转换器

· 图腾柱PFC

· 快速充电器

· 高密度功率转换

· 高效率功率转换

INN650D01增强型GaN FET的电气特性（T_J =25℃，除非另有说明）：

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全部评论（2）

maomao Lv8. 研究员 2019-08-31

不错的资料
鄗立恒 Lv8. 研究员 2019-08-31

学习了。

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