【产品】漏极-源极电压最小值为650V的增强型氮化镓场效应管INN650D01,具有零反向恢复损耗

2019-08-30 英诺赛科
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英诺赛科(Innoscience)推出650V增强型氮化镓场效应管(GaN FET)——INN650D01


INN650D01增强型GaN FET的特点:

· 超高的开关频率

· 超低的导通电阻RDS (on)

· 快速且可控的下降和上升时间

· 零反向恢复损耗

 

INN650D01增强型GaN FET的应用:

· AC-DC转换器

· 图腾柱PFC

· 快速充电器

· 高密度功率转换

· 高效率功率转换

 

INN650D01增强型GaN FET的电气特性(TJ =25℃,除非另有说明):


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全部评论(2

  • maomao Lv8. 研究员 2019-08-31
    不错的资料
  • 鄗立恒 Lv8. 研究员 2019-08-31
    学习了。
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2022/12/9  - EPC  - 商品及供应商介绍 代理服务 技术支持 采购服务

EPC2105–增强型氮化镓功率晶体管半桥V-DS,80 V R-DS(ON),14.5 mΩ(Q1),3.6 mΩ(Q2)I-D,10A(Q1),40A(Q2)规格书

描述- 本资料为EPC2105增强型氮化镓功率晶体管半桥的数据表。该器件具有低导通电阻(RDS(on)),适用于高频直流-直流转换和高密度脚位设计,提供高效率和低开关损耗。

型号- EPC2105

June, 2020  - EPC  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

EPC2108–集成同步引导的增强型氮化镓功率晶体管半桥

描述- 本资料详细介绍了EPC2108型eGaN® FET增强型氮化镓功率晶体管。该器件采用硅片生长和标准CMOS设备加工,具有极低的导通电阻和优异的热特性。适用于高频DC-DC转换、Class-D音频和无线电源等应用,具有超高效率、极低导通电阻、极低QG和超小封装尺寸等优点。资料中包含了器件的最大额定值、静态特性、动态特性、热特性、典型应用电路、封装尺寸和标记等信息。

型号- EPC2108

2017/07/29  - EPC  - 技术文档 代理服务 技术支持 采购服务

EPC2111–增强型氮化镓功率晶体管半桥V-DS,30V R-DS(ON),19 mΩ(Q1),8 mΩ(Q2)I-D,16A(Q1),16A(Q2)规格书

描述- 本资料为EPC2111增强型氮化镓功率晶体管的规格说明书。该器件采用氮化镓技术,具有低导通电阻、高频率操作和高密度封装等特点,适用于高频DC-DC转换器和点负载(POL)转换器等领域。

型号- EPC2111

June, 2020  - EPC  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

EPC2101–增强型氮化镓功率晶体管半桥V-DS,60 V R-DS(ON),11.5 mΩ(Q1),2.8 mΩ(Q2)I-D,10A(Q1),40A(Q2)规格书

描述- 本资料为EPC2101增强型氮化镓功率晶体管半桥数据表。该器件采用氮化镓技术,具有低导通电阻、高频率操作和高效率等特点,适用于高频直流-直流转换器和点负载(POL)转换器等领域。

型号- EPC2101

June, 2020  - EPC  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

增强型氮化镓技术

描述- 本文介绍了eGaN®技术,一种基于氮化镓(Gallium Nitride)的半导体技术。该技术具有比传统硅基器件更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章重点强调了eGaN FET和集成电路在提高功率转换效率方面的优势,并列举了其在不同应用领域的潜力。

型号- EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC9121,EPC9084,EPC2069,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2100,EPC2067,EPC9014,EPC9097,EPC90142,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2034,EPC2033,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9078,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9166,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9050,EPC9006C,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC9148,EPC23101,EPC9149,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC9145,EPC2111,EPC9146,EPC2110,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90139,EPC9048C,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC9034,EPC21603,EPC9035,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC7014,EPC21601,EPC9037,EPC90122,EPC9030,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC9032,EPC90120,EPC9153,EPC9033,EPC9154,EPC90124,EPC9150

2021/12/17  - EPC  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

世强代理EPC哪些种类的产品

EPC(宜普电源转换公司)是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商。EPC推出全球首款替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管。GaN器件在速度,损耗,效率等性能上比硅材料的功率器件优越很多。主要有:单路eGaN FET:BGA封装,业界尺寸最小。半桥eGaN FET:低功耗高效率,内含36个PN结,超低的导通电阻(RDS(ON))。同步启动的双路eGaN FET:高可靠性,800万器件小时应力测试无失效。

2018-12-10 -  技术问答

英诺赛科(Innoscience)E-Mode GaN FET选型指南

目录- E-Mode GaN FET   

型号- INN100E01,INN60W01,INN650D01,INN650D02,INN40E01,INN40W01,INN100W03,INN40W03,INN40W02,INN100W01,INN100W02

2019/8/27  - 英诺赛科  - 选型指南  - Rev.2.0

【经验】英诺赛科65W PD快充驱动电路以及PCB layout设计指导

英诺赛科65W PD快充产品中使用650V 130mΩ GaN FET作为主功率开关器件,由于开关频率较高,较快的开关速度势必会带来较高的dv/di,di/dt,需要我们从驱动电路以及PCB layout上做较多考量,本文就驱动电路以及PCB layout设计提出一些建议。

2020-06-20 -  设计经验

英诺赛科持续推出高压和低压GaN功率器件,氮化镓场效应管等产品高频高效助力绿色能源革命

2022年,在全球“双碳”战略的推动下,第三代半导体GaN也在应用市场中展露锋芒,基于其高频、高效、低能耗的优势,终端应用厂商对GaN的需求也迎来了持续攀升。英诺赛科作为全球领先的第三代半导体GaN IDM企业,一直致力于GaN功率器件性能及应用领域的突破,于2022年陆续推出了高压、低压等全电压领域产品。

2022-12-24 -  原厂动态
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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥10.8000

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥3.7500

现货:17,725

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥4.0080

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.7480

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥9.3000

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.5500

现货:2,305

品牌:英诺赛科

品类:transistor

价格:¥5.5200

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

现货:730

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥4.7460

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实验室地址: 深圳 提交需求>

低功耗测试

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实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

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