【产品】漏源电压30V的N沟道MOSFET SFA3018T，以低栅极电荷提供优秀RDS(on)

时间： 2023-04-01 来源：HI-SEMICON

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HI-SEMICON推出的N沟道MOSFET SFA3018T采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供优秀的RDS(on)，可用于各种各样的应用。

特性

◆VDS=30V，ID=180A

◆RDS(on)

TYP:2.1mΩ@VGS=10V，ID=30A

应用

◆功率因数校正（PFC）

◆开关模式电源（SMPS）

◆不间断电源（UPS）

◆LED照明电源

订购信息

绝对最大额定值 (TJ=25℃，除非另有说明)

热特性

电气特性

源漏二极管额定值和特性

脉冲宽度受最大结温限制
L=1mH, IAS=28A, VDD=25V, VG=10V, RG=25Ω, 开始TJ=25℃
脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
基本上独立于工作温度

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