【产品】650V/10A的N沟道功率MOSFET RU10N65P，采用TO220F封装

时间： 2022-03-29 来源：锐骏半导体

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锐骏半导体（Ruichips）是一家专注从事功率半导体研发、生产、销售的国家高新技术企业，推出的N沟道功率MOSFET RU10N65P，采用TO220F封装，650V10A规格，通过100%雪崩测试，具有超低栅极电荷，符合 RoHS 标准，无铅且绿色环保，适用于开关模式电源中的AC/DC电源转换（开关电源）、适配器和PWM电机控制。

特性：

• 650V/10A

• R_{DS (ON)} =610mΩ(Typ.)@V_GS=10V

• 低反向传输

• 超低栅极电荷

• 100% 雪崩测试

• 提供无铅和绿色设备（符合 RoHS 标准）

绝对最大额定值

电气特性：(Tc=25℃除非另外说明）

注释：

①脉冲宽度受安全工作区限制。

②根据最大允许结温计算出的连续电流。

③受T_Jmax限制，I_AS =9A，V_DD = 100V，R_G = 50Ω，启动T_J = 25°C

④脉冲测试；脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%。

⑤设计保证，无需生产测试

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