Vincotech IGBT模块K709F70,匹配45KW变频器逆变设计的兼容式半桥模块
通用变频器的主体架构一般为“整流+刹车+逆变”(图1),其中逆变部分一般为六管架构(图1红色圈圈)。
图1:变频器主题架构图
45KW的通用变频器后端为电机类型负载。该功率段的输出平均电流一般65A左右,基于三倍左右的冲击电流裕量考虑,选用的主功率模块电流200A左右。380V系统变频器母线至少540VDC。因母线需考虑叠加的反压参数,逆变部分的IGBT一般选择1200V电压规格。
在45KW通用变频器逆变部分的主体架构应用时,考虑到1200V电压、200A左右的电流、良好的散热布局以及简易封装设计几个因数,一般匹配半桥模块。VINCOTECH的半桥模块80-M2122PA200M7-K709F70(图2所示),规格1200V/200A的半桥模块,匹配45KW变频器的应用设计。
图2:K709F70的原理图
K709F70为半桥模块,规格1200V/200A,采用三个可搭建逆变部分的六管架构,可实现逆变部分设计的灵活性。
80-M2122PA200M7-K709F70模块内部的标称的主要参数:
Vincotech的K709F70(图3所示)采用的三菱第七代晶圆,兼容式miniskiip封装,封装体积小(58.9mm*51.9mm*16mm),空间利用率高。模块采用单螺丝固定方式和具有兼容性,让安装更加简易且不用担心市场独家供应问题。
图3:外观
Vincotech的K709F70的PIM模块的型号信息:
80-M2122PA200M7-K709F70-/0A/:匹配6.5mm的盖板和不带预涂散热膏
80-M2122PA200M7-K709F70-/0B/:匹配2.8mm的盖板和不带预涂散热膏
80-M2122PA200M7-K709F70-/1A/:匹配6.5mm的盖板和带0.8W/mk的预涂散热膏P12
80-M2122PA200M7-K709F70-/1B/:匹配2.8mm的盖板和带0.8W/mk的预涂散热膏P12
80-M2122PA200M7-K709F70-/4A/:匹配6.5mm的盖板和带2.5W/mk的预涂散热膏TG20032
80-M2122PA200M7-K709F70-/4B/:匹配2.8mm的盖板和带2.5W/mk的预涂散热膏TG20032
80-M2122PA200M7-K709F70-/5A/:匹配6.5mm的盖板和带2.5W/mk的预涂散热膏HPTP
80-M2122PA200M7-K709F70-/5B/:匹配2.8mm的盖板和带2.5W/mk的预涂散热膏HPTP
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品类:IGBT POWER MODULE
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