【产品】专为高增益放大器应用而设计的硅NPN达林顿功率晶体管裸片，直流放大系数为5-20K

时间： 2018-11-24 来源：Central

技术问答

Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)公司是世界顶级分立半导体制造商，Central推出的CP307V-MPSA13和CP307V-2N5308都是硅NPN达林顿功率晶体管裸片，是晶体管封装器件的核心构件。具有相同的机械参数和运用领域。实物如图1所示，专为高增益放大器应用而设计。具有高增益、低压降以及高特征频率等特点。

图1 CP307V-MPSA13和CP307V-2N5308硅NPN达林顿功率晶体管产品示意及机械尺寸图

在工作温度为25℃时，CP307V-MPSA13和CP307V-2N5308硅NPN达林顿功率晶体管裸片的集电极-基极电压最大额定值分别为30/40V，它们的集电极-发射极电压的最大额定值分别为30/40V，发射极-基极电压的最大额定值分别为10/12V。CP307V-MPSA13和CP307V-2N5308的集电极持续工作电流最大额定值分别为500/300mA。它们的工作和结温范围为-65~150℃，操作结温最高额定值为150℃，较宽的工作温度范围能够适应恶劣的工业温度环境，满足大部分应用对于环境温度的苛刻需求，保证器件稳定性。

在工作温度为25℃的环境下，当V_CB分别为30/40V时，CP307V-MPSA13和CP307V-2N5308的集电极-基极电流I_CBO最大值均为100nA。CP307V-MPSA13的集电极-发射极饱和压降V_CE(SAT)在I_C=100mA, I_B=100μA时，最大值为1.5V，而CP307V-2N5308的集电极-发射极饱和压降V_CE(SAT)在I_C=200mA,I_B=200μA时，最大值为1.4V。低饱和压降有效降低了导通损耗。CP307V-MPSA13的直流放大系数在VCE=5.0V, IC=10mA的条件下，最小值为5.0K，在VCE=5.0V, IC=100mA的条件下，最小值为10K。CP307V-2N5308的直流放大系数在V_CE=5.0V, I_C=2.0mA的条件下，最小值为7.0K;在V_CE=5.0V, I_C=100mA的条件下，最小值为20K。CP307V-MPSA13的特征频率f_T在V_CE=5.0V、I_C=10mA、f=100MHz的条件下，最小值为125MHz。CP307V-2N5308的特征频率f_T在V_CE=5.0V、I_C=2.0mA、f=10MHz的条件下，最小值为60MHz。

集电极与基极间电容在V_CB=10V,f=1.0MHz的条件下，最大值为10pF,发射极-基极间电容在V_EB=0.5V, f=1.0MHz的条件下，典型值为12pF。

图2 CP307V-MPSA13和CP307V-2N5308硅NPN达林顿功率晶体管的典型电气特性图

CP307V-MPSA13和CP307V-2N5308硅NPN达林顿功率晶体管突出特点与优势

·工作和结温范围为-65至+150°C，操作结温最高额定值为150℃

·集电极-基极电流I_CBO最大值均为100nA

CP307V-MPSA13：

·集电极-发射极饱和压降V_CE(SAT)最大值为1.5V(I_C=100mA, I_B=100μA)

·特征频率f_T最小值为125MHz(V_CE=5.0V、I_C=10mA、f=100MHz)

·直流放大系数最小值为10K(V_CE=5.0V,I_C=100mA)

CP307V-2N5308：

·集电极-发射极饱和压降V_CE(SAT)最大值为1.4V(I_C=200mA,I_B=200μA)

·特征频率f_T最小值为60MHz(V_CE=5.0V、I_C=2.0mA、f=10MHz)

·集电极与基极间电容最大值为10pF(V_CB=10V,f=1.0MHz)

·发射极-基极间电容典型值为12pF(V_EB=0.5V, f=1.0MHz)

·直流放大系数最小值为20K（V_CE=5.0V,I_C=100mA）

CP307V-MPSA13和CP307V-2N5308硅NPN达林顿功率晶体管主要运用领域

·高增益放大器

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