兼容Si驱动直接替代Si IGBT、SiC MOSFET，UnitedSiC拥有业界最广泛的SiC分立晶体管产品
UnitedSiC是美国专业功率半导体制造商，也是全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商。
UnitedSiC拥有7-400mOhm的业界最广泛SiC分立晶体管产品及独特的堆叠式共源共栅（cascode）技术，基于此技术，无需改变栅极驱动电压，即可通过采用UnitedSiC FET替换已有的Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或硅超级结器件，显著提高系统性能，实现更低的导通和开关损耗，增强热性能，并集成有栅极ESD保护。
目前，世强元件电商已上线UnitedSiC所有SiC FET新品，且均可提供免费样品，100%保证原厂正品，同时保证提供最具竞争力的代理商价格。如在电动汽车、服务器电源、太阳能等应用领域有选型需求，世强提供免费选型帮助，技术专家及原厂FAE会在48小时响应。
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用户60857172 Lv6. 高级专家 2021-06-19学习 -
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刘龙 Lv4. 资深工程师 2021-06-17学习了
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SiC FET应对世界太阳能车竞赛，UnitedSiC入驻世强元件电商
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本文Silicon Labs将探讨氮化镓（GaN）电子器件，也涉及到一点碳化硅（SiC），在不增加汽车成本的条件下，如何提高电动汽车的功率输出和能效。Transphorm提供了一款汽车级AEC-Q101认证的GaN FET—650V TPH3205WSBQAFET，采用TO-247封装，导通电阻为49mΩ。
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UnitedSiC的SiC FET能直接替代Si MOSFET，但其高开关速度也可能会使关断VDS电压产生尖峰和震荡，使系统的EMI变差。关断时的VDS尖峰和振荡产生的根本原因是高速开关过程中di/dt在杂散电感上产生了较高的感应电压。本文将给出并对比几种解决方案。
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型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF4SC120030K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UJ3C065030K3S,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UF4SC120053K4S,UJ4SC075009K4S,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF4SC,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3C065030K4S,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF4SC120070K4S,UF3CXXXYYYK4S,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UF3SC,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ4C075018K3S,UF3C,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UF4SC120053K3S,UF4SC120070K3S,UF SERIES,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S
1200V Gen 4 SiC FETs with industry-best performance deliveroptimal SiC power solutions to high-voltage markets
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全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商——UnitedSiC（联合碳化硅）
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使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是，碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本文追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代技术进行了比较。
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具有业界出众性能的1200V第四代SiC FET为高压市场提供优秀SiC功率解决方案
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UnitedSiC SiC FET User Guide
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随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关，电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题，并带来更高的效率增益。UnitedSiC将在本文中进行详细的分析。
设计经验 发布时间 : 2022-01-27
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UnitedSiC的SiC FET（碳化硅场效应晶体管）采用了独特的共源共栅（cascode）电路配置，将常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装在一起，从而构建出常关型SiC FET器件。UF3C120080K3S是一款1200V的SiC FET。
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