兼容Si驱动直接替代Si IGBT、SiC MOSFET，UnitedSiC拥有业界最广泛的SiC分立晶体管产品

时间： 2020-03-28 来源：世强

UnitedSiC是美国专业功率半导体制造商，也是全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商。

UnitedSiC拥有7-400mOhm的业界最广泛SiC分立晶体管产品及独特的堆叠式共源共栅（cascode）技术，基于此技术，无需改变栅极驱动电压，即可通过采用UnitedSiC FET替换已有的Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或硅超级结器件，显著提高系统性能，实现更低的导通和开关损耗，增强热性能，并集成有栅极ESD保护。

目前，世强元件电商已上线UnitedSiC所有SiC FET新品，且均可提供免费样品，100%保证原厂正品，同时保证提供最具竞争力的代理商价格。如在电动汽车、服务器电源、太阳能等应用领域有选型需求，世强提供免费选型帮助，技术专家及原厂FAE会在48小时响应。

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SiC FET应对世界太阳能车竞赛，UnitedSiC入驻世强元件电商

UnitedSiC的SiC FET、SiC JFET、SiC Schottky Diode等功率器件上线世强元件电商。

2019-11-21 - 公司动态

【经验】SiC FET关断时VDS尖峰和振荡问题的解决方法

UnitedSiC的SiC FET能直接替代Si MOSFET，但其高开关速度也可能会使关断VDS电压产生尖峰和震荡，使系统的EMI变差。关断时的VDS尖峰和振荡产生的根本原因是高速开关过程中di/dt在杂散电感上产生了较高的感应电压。本文将给出并对比几种解决方案。

2020-11-02 - 设计经验

【经验】在高速开关碳化硅场效应管（SiC FET）中接入RC缓冲电路，能有效解决高速开关损耗以及振铃效应

基于半桥结构这一典型应用，本文介绍了在开关速度快的SiC器件的漏极和源极之间接入RC缓冲吸收电路的优势，解决了如何抑制过多的电压冲击和振铃噪声的问题。此外本文还介绍了一种将RC缓冲吸收电路使用在高速碳化硅开关器件的实用方案——UnitedSiC推出的UF3C系列SiC FET，该方案通过了双脉冲测试的结果验证。

2019-12-07 - 设计经验

1200V第4代SiC FET具有业界最佳性能，为高压市场提供最佳SiC电源解决方案

**1200V Gen 4 SiC FETs性能卓越，助力高压市场发展** 本文介绍了UnitedSiC（现Qorvo）推出的1200V Gen 4碳化硅场效应晶体管（SiC FET），该产品家族扩展至更高电压应用。新推出的六款产品，包括23毫欧姆至70毫欧姆的UF4C/SC系列，提供TO247-4L（kelvin连接）封装的1200V/53毫欧姆和70毫欧姆SiC FET，以及TO247-3L封装的70毫欧姆SiC FET。这些SiC FET在性能上具有优势，适用于电动汽车市场向800V车载充电器（OBC）和DC/DC转换器的发展。新FET采用先进的垂直沟槽器件结构，提供行业最佳性能，包括最低的RDS(on) x Area、RDS(on) x Eoss、RDS(on) x Coss、(tr)和RDS(on) x Qg。此外，这些SiC FET还提供优异的热性能，有助于提高功率处理能力和降低开关损耗。

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May 2022 - 商品及供应商介绍

【经验】适用于SiC FET的简单RC缓冲电路，可解决电压过冲和振铃等问题

随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关，电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题，并带来更高的效率增益。UnitedSiC将在本文中进行详细的分析。

2022-01-27 - 设计经验

SiC FET用户指南

本指南提供了使用RC阻尼器与快速切换SiC器件的实用解决方案和指导。通过实验双脉冲测试（DPT）验证了该解决方案。阻尼器损耗被精确测量，以帮助用户计算阻尼电阻的功率等级。分析了阻尼器在硬切换和软切换应用中的有益影响。指南还包括SiC FET的使用表格，提供了不同型号器件的栅极驱动电压和应用类型信息。

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April 2022 - 用户指南 - UnitedSiC_UG0001

具有业界出众性能的1200V第四代SiC FET为高压市场提供优秀SiC功率解决方案

UnitedSiC扩充了1200V产品系列，将突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧，现以TO247-4L（开尔文连接）封装提供，而1200V的53毫欧和70毫欧SiC FET还以TO247-3L封装提供。

2022-06-29 - 原厂动态

【应用】SiC FET UF3SC120009K4S用于电动汽车固态断路器和电池系统，有效降低插入损耗、驱动高压大电流

UnitedSiC的SiC共源共栅器件正越来越多地应用于电动汽车中——使用SiC共源共栅器件的碳化硅（SiC）开关被配置为断路器时，它们可在100纳秒至几微秒内运行，并避免了电弧；传导过程可以被控制来限制浪涌电流或对电容器进行预充电。除此以外，SiC共源共栅器件还可用来切换驱动器和电池系统中的高压和大电流。

2020-01-04 - 应用方案

UnitedSiC FET用户指南

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September 2021 - 用户指南查看更多版本

UnitedSiC FET用户指南

本指南提供了使用RC阻尼器与快速切换SiC器件的实用解决方案和指导。通过实验双脉冲测试（DPT）验证了该解决方案。阻尼器损耗被精确测量，以帮助用户计算阻尼电阻的功率等级。分析了阻尼器在硬切换和软切换应用中的有益影响。指南还包括SiC FET的使用表格，详细说明了不同型号的SiC FET的参数和应用类型。

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September 2021 - 用户指南

UnitedSiC FET用户指南

本指南提供了使用RC阻尼器与快速切换SiC器件的实用解决方案和指导原则。内容包括阻尼器设计指南、Snubber规则、BOM表格以及相关注意事项。指南通过实验验证了阻尼器的效果，并分析了硬开关和软开关应用中的有益影响。

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December 2019 - 用户指南

UnitedSiC FET用户指南

本指南提供了使用RC阻尼器与快速开关SiC器件的实际解决方案和指导。通过实验双脉冲测试（DPT）结果验证了该解决方案。阻尼器损耗被精确测量，以帮助用户计算阻尼电阻的功率等级。分析了阻尼器在硬开关和软开关应用中的有益影响。附带的“使用阻尼器开关快速SiC FET”应用笔记可在https://unitedsic.com/wp-content/uploads/appnotes/Snubber%20AppNotes_V8.pdf找到。指南中包含了基本假设、阻尼器规则、BOM清单和注意事项。

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December 2018 - 用户指南 - version 4.0