【产品】P沟道MOSFET DE085PG采用先进的沟槽技术和设计，漏源导通电阻≤85mΩ，结到壳的热阻≤4℃/W
DE085PG是杜因特推出的一款P沟道MOSFET，采用了先进的沟槽技术和设计，具有低栅极电荷和出色的RDS(on)特性。当VGS=-10V，ID=-30A时，漏源导通电阻典型值为70mΩ ，最大值为85mΩ 。在热性能方面，DE085PG的结到壳的热阻最大值为4℃/W，结到环境的热阻最大值为62℃/W。DE085PG采用的是TO-252封装形式，可用于多种应用中。
DE085PG的特性：
1）VDS=-60V，ID=-13A，RDS(ON)<85mΩ@VGS=-10V
2）低栅极电荷
3）绿色环保器件
4）采用高单元密度沟槽技术，具有出色的RDS(ON)特性
5）采用先进的封装形式，可提供良好的散热性能
DE085PG的最大额定值参数（Tc=25℃，除非特别说明）：
1. 测试条件：表面贴装在有2OZ 铜的1 inch2 FR-4板上
DE085PG的订购信息：
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