【选型】小信号N沟道MOSFET PJE8408可pin-pin替换安森美的NTA4001N，发热更少、承受电流更大
在手机背光驱动及振动电路中，一般会用到小信号N-MOS，之前普遍选用ONSEMI的NTA4001N，但随着非美系和低成本需求日益增多，急需一款高性价替换品。本文重点推荐强茂小信号N沟道MOSFET PJE8408可替换NTA4001N。以下为两者参数对比图：
图1：PJE8408与NTA4001N参数对比
通过上述表格可知，
1、 强茂N-MOS PJE8408的Id电流为500mA，相比NTA4001N 而言，MOS能承受更大电流，给管子预留更多降额余量；
2、 强茂N-MOS PJE8408的Rds（on）参数更低，有利于降低损耗，减少发热；
3、 PJE8408与NTA4001N的Vds电压和管子节温都一样，保证MOS可靠性；
4、 强茂PJE8408的封装为SOT-523，ON的NTA4001N封装为SOT-416，两者封装尺寸基本一致，在应用中可以进行pin-pin替换。
除以上电性能、封装对比外，强茂PJE8408有着更低的价格和供货周期优势，如有兴趣，欢迎在世强平台了解更多相关资讯。
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PJQ5542V-AU
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Low Voltage MOSFET
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DFN5060-8L
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New Product
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-
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AEC-Q101 Qualified
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-
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N
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Single
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40
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20
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136
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3
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-
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-
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3050
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3.5
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43
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选型表 - PANJIT 立即选型
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支持 3Hz ~ 26.5GHz射频信号中心频率测试；9kHz ~ 3GHz频率范围内Wi-SUN、lora、zigbee、ble和Sub-G 灵敏度测量与测试，天线阻抗测量与匹配电路调试服务。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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