【产品】N沟道和P沟道互补型高级功率MOSFET RU20C10H，器件坚固可靠且无铅，适用于负载开关应用领域
锐骏半导体推出采用SOP-8封装的N沟道和P沟道互补型高级功率MOSFET RU20C10H，器件坚固可靠，无铅，绿色环保并符合RoHS标准，适用于负载开关应用领域。
器件特点
N沟道：
漏源电压最大额定值20V，持续漏极电流最大额定值为10A
RDS(ON)=12mΩ(典型值)@VGS=4.5V
RDS(ON)=15mΩ(典型值)@VGS=2.5V
P沟道：
漏源电压最大额定值-20V，持续漏极电流最大额定值为-10A
RDS(ON)=20mΩ(典型值)@VGS=-4.5V
RDS(ON)=30mΩ(典型值)@VGS=-2.5V
器件坚固可靠
器件无铅和绿色环保（符合RoHS标准）
器件应用领域
负载开关
最大额定参数
电气特性（TA=25℃，除非特别说明）
Note：
①脉冲宽度受安全工作区限制
②根据最大允许结温计算出的持续电流
③贴装在1英寸方形铜板时，t≤10s。任何特定应用数值取决于用户特定的电路板设计
④受限于TJmax，TJ=25℃开始
⑤脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
⑥由设计保证，无需进行生产测试
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锐骏半导体MOSFET选型表
锐骏半导体提供以下参数的MODFET：Channel:P/N+P/Dual+P/Dual-P; ESD Diode :N/Y;VDSS:-40~85V;VTH:-3~5V;IDS:-70~230A
|
产品型号
|
品类
|
Channel
|
ESD Diode (Y/N)
|
VDSS(V)
|
VTH(V)
|
IDS(A)@TA=25℃ (A)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
|
Package
|
|
RU207C
|
MOSFET
|
N
|
N
|
20
|
0.5-1.1
|
6
|
10
|
15
|
SOT23-3
|
选型表 - 锐骏半导体 立即选型
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