【产品】强茂推出600V/4A的N沟道增强型MOSFET管 PJD4N60M
PANJIT新推出漏级-源极电压为600V的N沟道增强型MOSFET管 PJD4N60M，连续漏极电流达到4A，具有开关速度快，栅极电荷低的优点，产品封装如下图所示：
产品特点：
导通电阻＜2.6Ω（条件：VGS@10V，ID@2A）；
高开关速率
改进的dv/dt性能
低栅极电荷
无铅，符合EU RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC61249标准
机械性能数据：
壳体：TO-252AA封装
端子：可焊性满足MIL-STD-750，2026方法
TO-252AA 约重：0.0104盎司，0.297克
最大额定值和温度特性（TA=25℃下测定，除非有特别说明）
漏-源电压（VDS）：600V
栅-源电压（VGS）：±30V
Tc为25℃下的连续漏极电流（ID）：4A
Tc为25℃下的脉冲漏极电流（IDM）：16A
单脉冲雪崩能量（EAS）：23mJ
Tc为25℃下的功耗（PD）：50W
工作结温和存储温度范围（TJ，TSTG）：-55℃~150℃
典型热阻：
结到外壳（RθJC）：2.5℃/W
结到环境（RθJA）：62.5℃/W
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
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