【产品】40V/40A的N沟道增强型功率MOSFET RM40N40D3，使用先进的沟槽技术和设计
丽正国际推出的RM40N40D3是N沟道增强型功率MOSFET，使用先进的沟槽技术和设计，能够有效降低栅极电荷、提供出色的RDS(ON)。其漏源电压40V，漏极持续电流可达40A，最大耗散功率为27W，采用DFN 3x3 EP封装。可用于SMPS和通用应用、硬开关和高频电路、不间断电源等多种应用场合。
图1 RM40N40D3的实物图、封装形式和内部电路
产品特性：
● VDS =40V,ID =40A
RDS(ON) < 7.5mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 14mΩ @ VGS=4.5V
● 高密度单元设计可实现超低Rdson
● 全面表征雪崩电压和电流
● 高EAS时具有良好的稳定性和均匀性
● 出色的封装使其散热效果好
● 特殊工艺技术可实现高ESD能力
应用场合：
● SMPS和通用应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
● 无卤素
RM40N40D3的最大额定值参数(TC=25℃,除非特殊说明)
RM40N40D3电气特性(TC=25℃，除非特殊说明)
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