【产品】40V/40A的N沟道增强型功率MOSFET RM40N40D3，使用先进的沟槽技术和设计

时间： 2021-01-20 来源：丽正国际

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丽正国际推出的RM40N40D3是N沟道增强型功率MOSFET，使用先进的沟槽技术和设计，能够有效降低栅极电荷、提供出色的R_DS(ON)。其漏源电压40V，漏极持续电流可达40A，最大耗散功率为27W，采用DFN 3x3 EP封装。可用于SMPS和通用应用、硬开关和高频电路、不间断电源等多种应用场合。

图1 RM40N40D3的实物图、封装形式和内部电路

产品特性：

● V_DS =40V,I_D =40A

R_DS(ON) < 7.5mΩ @ V_GS=10V

R_DS(ON) < 14mΩ @ V_GS=4.5V

● 高密度单元设计可实现超低R_dson

● 全面表征雪崩电压和电流

● 高EAS时具有良好的稳定性和均匀性

● 出色的封装使其散热效果好

● 特殊工艺技术可实现高ESD能力

应用场合：

● SMPS和通用应用

● 硬开关和高频电路

● 不间断电源

● 无卤素

RM40N40D3的最大额定值参数(T_C=25℃,除非特殊说明)

RM40N40D3电气特性(T_C=25℃，除非特殊说明)

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