【产品】-30V/-50A P沟道增强型功率MOSFET RM50P30D3，采用DFN 3X3封装
丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。
RM50P30D3是丽正国际推出的一款采用DFN 3X3封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。
在TC=25°C时，RM50P30D3可以承受的漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为-50A，漏极脉冲电流最大额定值为-200A，最大功率耗散为38W，单脉冲雪崩能量最大额定值为125mJ，结温和储存温度范围为-55~150℃，结壳热阻典型值为2.3℃/W。
产品特性
•VDS =-30V,ID =-50A
RDS(ON) <8.7mΩ @ VGS=-10V
RDS(ON) <13.5mΩ @ VGS=-4.5V
•高密度单元设计，可实现超低RDS(ON)
•完全表征雪崩电压和电流
•高EAS时具有良好的稳定性和一致性
•优良的封装，良好的散热性能
•特殊工艺技术可实现高ESD能力
•经过100％UIS测试
•经过100％ΔVds测试
应用领域
负载开关
硬开关和高频电路
不间断电源
无卤素
P/N后缀V表示通过AEC-Q101认证，例如：RM50P30D3V
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 3
本文由翻译自丽正国际，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（3）
-
![]()
![]()
伟大大 Lv5. 技术专家 2019-11-16学习 -
![]()
![]()
奥太小王子 Lv6. 高级专家 2019-11-16好，学习了 -
![]()
![]()
加一 Lv7. 资深专家 2019-11-16学习
相关推荐
【产品】-20V/-4.1A P沟道增强型功率MOSFET RM2305C
RM2305C是丽正国际推出的一款采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，栅极电压低至2.5V，适用于负载开关或PWM应用。
【产品】-60V/-61A P沟道增强型功率MOSFET RM60P60HD
RM60P60HD是丽正国际推出的一款采用TO-263-2L封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于PWM、负荷开关及其他通用应用。在TA=25°C时，RM60P60HD可以承受的漏源电压最大额定值为-60V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为-61A。
【产品】-60V/-13A P沟道增强型功率MOSFET RM15P60LD，适合大电流负载应用
丽正国际推出的RM15P60LD是一款P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术和设计，可实现低栅极电荷和低RDS（ON）。该器件非常适合大电流负载应用。在TC=25°C时，RM15P60LD可以承受的极限漏源电压为-60V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为-13A，结温和储存温度范围为-55~150℃。
HM20P02D P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了+03'型号的P沟道增强型功率MOSFET。它采用先进的槽技术，提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和最低2.5V的栅极电压下的操作能力。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
型号- HM20P02D
30DP8 P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了富满微电子集团股份有限公司生产的30DP8型号P沟道增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于PWM应用、负载切换和电源管理等领域。
型号- 30DP8
HM09P12D P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了HM09P12D P沟道增强型功率MOSFET的特性和应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低RDS(ON)、低栅极电荷和宽栅极电压操作能力，适用于负载开关应用和多种其他应用。
型号- HM09P12D
NCE2309 NCE P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCE2309型P沟道增强模式功率MOSFET的特性、参数和应用。该器件采用先进的槽技术设计，具有低导通电阻和高密度单元设计，适用于负载开关和PWM应用。
型号- NCE2309
【产品】连续漏极电流达-4.1A的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407，适用于负载开关及PWM应用
上海贝岭推出的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407系列，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)，低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压等特性，器件适用于负载开关及PWM应用领域。
AG82P06S P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了AG82P06S型P-Channel增强型功率MOSFET的产品特性、电气特性、应用领域和封装信息。该MOSFET具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热散性，适用于负载开关等应用。
型号- AG82P06S
NCE60P04Y NCE P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCE60P04Y型P沟道增强模式功率MOSFET的特性。该器件采用先进的槽技术设计，具有低导通电阻和高密度单元格设计，适用于负载开关或PWM应用。
型号- NCE60P04Y
RM60P04Y P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了RM60P04Y型P沟道增强型功率MOSFET的特性、应用和电气参数。该器件采用先进的沟槽技术，具有低RDS(ON)和低栅极电荷，适用于负载开关和PWM应用。
型号- RM60P04YV,RM60P04Y
RM70P30DF P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了RM70P30DF型功率MOSFET的特性、应用范围和订购信息。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于负载开关和PWM应用。
型号- RM70P30DF
NCE30P28Q P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCE30P28Q型P沟道增强型功率MOSFET的特性。这款器件采用先进的槽技术，提供优异的RDS(ON)，适用于负载开关或电源管理。主要特性包括高电压、大电流处理能力，无铅产品，表面贴装封装，并通过了100% UIS和∆Vds测试。
型号- NCE30P28Q
JMTL2301C JMT P沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMTL2301C型P沟道增强型功率MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该产品采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。
型号- JMTL2301C,JMT
HM3407 P沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了HM3407P沟道增强型功率MOSFET的特性。该器件采用先进的槽技术，提供优异的RDS(ON)，适用于负载开关或PWM应用。主要特性包括高电压、电流处理能力，无铅产品，表面贴装封装。
型号- HM3407
电子商城
服务
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论