【产品】-30V/-50A P沟道增强型功率MOSFET RM50P30D3，采用DFN 3X3封装
丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。
RM50P30D3是丽正国际推出的一款采用DFN 3X3封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。
在TC=25°C时，RM50P30D3可以承受的漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为-50A，漏极脉冲电流最大额定值为-200A，最大功率耗散为38W，单脉冲雪崩能量最大额定值为125mJ，结温和储存温度范围为-55~150℃，结壳热阻典型值为2.3℃/W。
产品特性
•VDS =-30V,ID =-50A
RDS(ON) <8.7mΩ @ VGS=-10V
RDS(ON) <13.5mΩ @ VGS=-4.5V
•高密度单元设计，可实现超低RDS(ON)
•完全表征雪崩电压和电流
•高EAS时具有良好的稳定性和一致性
•优良的封装，良好的散热性能
•特殊工艺技术可实现高ESD能力
•经过100％UIS测试
•经过100％ΔVds测试
应用领域
负载开关
硬开关和高频电路
不间断电源
无卤素
P/N后缀V表示通过AEC-Q101认证，例如：RM50P30D3V
订购信息
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全部评论（3）
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伟大大 Lv5. 技术专家 2019-11-16学习 -
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奥太小王子 Lv6. 高级专家 2019-11-16好，学习了 -
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加一 Lv7. 资深专家 2019-11-16学习
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