【产品】-30V/-50A P沟道增强型功率MOSFET RM50P30D3，采用DFN 3X3封装
丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。
RM50P30D3是丽正国际推出的一款采用DFN 3X3封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。
在TC=25°C时，RM50P30D3可以承受的漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为-50A，漏极脉冲电流最大额定值为-200A，最大功率耗散为38W，单脉冲雪崩能量最大额定值为125mJ，结温和储存温度范围为-55~150℃，结壳热阻典型值为2.3℃/W。
产品特性
•VDS =-30V,ID =-50A
RDS(ON) <8.7mΩ @ VGS=-10V
RDS(ON) <13.5mΩ @ VGS=-4.5V
•高密度单元设计，可实现超低RDS(ON)
•完全表征雪崩电压和电流
•高EAS时具有良好的稳定性和一致性
•优良的封装，良好的散热性能
•特殊工艺技术可实现高ESD能力
•经过100％UIS测试
•经过100％ΔVds测试
应用领域
负载开关
硬开关和高频电路
不间断电源
无卤素
P/N后缀V表示通过AEC-Q101认证，例如：RM50P30D3V
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 3
本文由翻译自丽正国际，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（3）
-
![]()
![]()
伟大大 Lv5. 技术专家 2019-11-16学习 -
![]()
![]()
奥太小王子 Lv6. 高级专家 2019-11-16好，学习了 -
![]()
![]()
加一 Lv7. 资深专家 2019-11-16学习
相关推荐
【产品】-30V/-20A表贴DFN3.3X3.3封装的P沟道增强型功率MOSFET RM20P30D3
丽正国际P沟道增强型功率MOSFET RM20P30D3，VDS = -30V，ID = -20A，采用先进的Trench Technology技术，达到超低的RDS（ON）和低总栅极电荷，适合负荷开关或PWM控制应用。
【产品】-20V/-4.1A P沟道增强型功率MOSFET RM2305C
RM2305C是丽正国际推出的一款采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，栅极电压低至2.5V，适用于负载开关或PWM应用。
【产品】-60V/-61A P沟道增强型功率MOSFET RM60P60HD
RM60P60HD是丽正国际推出的一款采用TO-263-2L封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于PWM、负荷开关及其他通用应用。在TA=25°C时，RM60P60HD可以承受的漏源电压最大额定值为-60V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为-61A。
【产品】连续漏极电流达-4.1A的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407，适用于负载开关及PWM应用
上海贝岭推出的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407系列，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)，低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压等特性，器件适用于负载开关及PWM应用领域。
【产品】-60V/-13A P沟道增强型功率MOSFET RM15P60LD，适合大电流负载应用
丽正国际推出的RM15P60LD是一款P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术和设计，可实现低栅极电荷和低RDS（ON）。该器件非常适合大电流负载应用。在TC=25°C时，RM15P60LD可以承受的极限漏源电压为-60V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为-13A，结温和储存温度范围为-55~150℃。
【产品】-30V/-20A P沟道增强型功率MOSFET RM20P30DF，采用DFN3.3X3.3封装
丽正国际推出的RM20P30DF是一款P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术来提供出色的低导通电阻RDS（ON）性能以及极低的栅极电荷，适合用作负载开关或PWM应用。在环境温度为25°C时，RM20P30DF可承受漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±20V，可承受漏极连续电流最大额定值为-20A，工作结温和储存温度范围为-55~150℃，结壳热阻为3.57℃/W。
【产品】-20V/-3A P沟道增强型功率MOSFET RM2301，采用SOT-23封装
丽正国际推出RM2301的是一款P沟道增强型功率MOSFET，该器件采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）性能以及极低的栅极电荷，并且可以在低至2.5V的栅极电压下工作，适合用于负载开关或PWM应用。在环境温度为25°C时，RM2301可承受的漏源电压最大额定值为-20V，栅源电压最大额定值为±12V，可承受的漏极连续电流最大额定值为-3A，工作结温和储存温度范围为-55~150℃。
【产品】-30V/-9.1A的P沟道增强型功率MOSFET RM4435，采用SOP-8封装
RM4435是丽正国际推出的一款采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和低栅极电压，栅极电压低至4.5V，广适用于多种应用。在TA=25°C时，RM4435可以承受的漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为-9.1A。
电子商城
服务
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论