【应用】英诺赛科氮化镓芯片助力联想摩托罗拉手机标配快充,具备支持超高开关频率、无反向恢复电荷等特性

2023-06-29 英诺赛科公众号
氮化镓芯片,氮化镓高压单管芯片,初级开关管,氮化镓器件 氮化镓芯片,氮化镓高压单管芯片,初级开关管,氮化镓器件 氮化镓芯片,氮化镓高压单管芯片,初级开关管,氮化镓器件 氮化镓芯片,氮化镓高压单管芯片,初级开关管,氮化镓器件

自2022年下半年以来,联想摩托罗拉Moto系列推出了多款智能手机,对性能、影像、显示效果、续航充电和系统功能等方面进行了升级和改进。此外,联想Moto还为其手机配备了标准的氮化镓充电器,最大程度地提高充电功率,保护手机电池,为用户带来更好的续航体验。


据拆解得知,联想Moto S30 Pro Pantone限量版、Moto X40、Edge 40系列手机的标配充电器均采用英诺赛科氮化镓芯片


1、Moto S30 Pro Pantone限量版标配68W充电器



Moto S30 Pro Pantone限量版非凡洋红是Moto与Pantone深度合作打造的新品,采用6.55英寸10亿色柔性屏,搭载高通骁龙888 Plus旗舰处理器,电池容量为4400mAh,支持68W快充,同时配备512GB大容量存储以及12GB超大内存。


近期,对Moto S30 Pro Pantone限量版标配的68W氮化镓充电器进行拆解,发现该充电器内部的初级开关管采用了英诺赛科650V INN650DAL02A(定制产品)氮化镓高压单管芯片


该芯片支持超高开关频率,具备无反向恢复电荷,超小体积(DFN5*6封装)等优势,可应用于DCM PFC/BCM PFC、AHB、LLC、QR、ACF等电路中,满足快充、笔电适配器、PC电源/ATX电源/TV电源设计需求。


2、Moto X40标配125W充电器

大功率快充对手机充电的提升效果十分明显。百瓦大功率快充,能够将手机的充电时间压缩到二十分钟,在低电量时快速回血。Moto X40 手机标配的充电器正是125W大功率的氮化镓快充。

根据测评与拆解获悉,Moto 125W氮化镓充电器只需7分钟即可为手机充入一半电量,19分钟即可让手机充满电,还可以作为100W PD快充使用,满足笔记本充电需求。其内部采用了英诺赛科650V INN650DAL01A定制芯片。


该芯片采用DFN5*6封装,支持超高开关频率,无反向恢复电荷,能够满足JEDEC标准的工业应用要求。


3、Moto Edge 40标配68W充电器

Moto Edge 40是联想今年5月份发布的新机型,该手机搭载全新的6纳米工艺联发科天玑8020芯片,配备8GB LPDDR4X内存和256GB UFS 3.1存储空间,不仅拥有出色的性能表现,还能满足用户对于大内存、大存储以及长续航的需求。


与前两款不同,Edge 40在手机内部和标配充电器上均采用了英诺赛科氮化镓芯片,实现全链路氮化镓快充。

一方面,Moto在Edge 40手机内部的电池主板上导入了英诺赛科40V VGaNINN040W048A),实现了更低导通损耗的手机电池充、放电功能;另一方面,Edge 40标配的68W充电器内部的氮化镓器件(定制产品INN650DAL02A)同样来自英诺赛科,该芯片支持超高开关频率,具备低Qg,低Co(tr),无反向恢复损耗Qrr等特性,帮助实现小体积、高效率的充电器设计。经测评得知,Edge 40标配的68W充电器功率密度达1.01W/cm³,最高输出功率为68.2W,不管在手机还是笔记本都有不错的兼容性。


近年来,联想摩托罗拉系列手机经过不断的快速迭代和更新,已经成为高质量、高性价比的手机产品,逐渐重拾市场竞争力,并赢得了广泛的用户好评。作为全球领先的氮化镓生产制造商,英诺赛科在行业内的表现尤为突出,产品已被诸如联想,三星,OPPO,雅迪等多家知名品牌所采用。


英诺赛科始终与联想品牌保持着紧密的友好合作关系,并以手机和快充为起点,逐步拓展其他领域的应用,共同致力于为用户打造更加高效便捷的生活体验。

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由ll转载自英诺赛科公众号,原文标题为:联想Moto多款手机发布,标配快充采用InnoGaN,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

沃尔德整流桥WRLSB80M用于铭普光磁65W超薄氮化镓快充充电器,拥有良好的散热特性,帮助中大瓦数适配器提升可靠性

铭普光磁推出了一款超薄氮化镓快充,这款充电器采用国标折叠插脚,流行超薄设计,实测机身厚度仅为13mm,非常方便日常携带收纳。整流桥来自深圳市沃尔德实业有限公司,型号WRLSB80M;充电器初级侧采用了东科半导体的合封氮化镓系列产品DK065G;同步整流芯片来自东科半导体,型号DK5V100R10V。

2024-07-23 -  应用方案

沃尔德整流桥WRABS20M用于智融30W移动电源+充电器二合一混动双模充方案,规格为2A 1000V

智融30W氮化镓充电器+移动电源二合一方案内部使用芯片全部来自智融科技,其中整流桥来自沃尔德,型号WRABS20M,规格为2A 1000V。这颗软桥通过较软的恢复曲线,比较平滑的关断特性,可以降低二极管结电容达到非常少的谐波振荡产生的效果。

2024-07-23 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

诚芯微65W高密度氮化镓快充参考设计:双口同时输出时支持20+30W功率分配,并支持PPS快充

诚芯微​65W超薄氮化镓快充方案采用反激加同步整流架构,使用了先进的平面变压器技术,初级PWM采用CX1342搭配氮化镓功率器件;输出双C接口采用DC降压芯片CX8571和双C口协议输出,可同时给两个设备进行快充,单口支持65W最高充电功率(5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25A)。双口共同输出时为20W+30W功率智能分配。

2024-08-31 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

拆解报告:倍思240W 3C1A+DC氮化镓桌面充电器

倍思240W氮化镓桌面充电器拆解:PFC电路采用JW JOULWATT杰华特JW1572控制器,并使用泰科天润G5S06506QT碳化硅二极管。AHB半桥采用JW JOULWATT杰华特JW1556控制器搭配纳芯微NSD1624D半桥驱动器。采用ETA SEMICONDUCTOR钰泰半导体ETA2821为显示小板供电。

2024-05-13 -  产品

泰高提供集成氮化镓驱动器与氮化镓FET的氮化镓电源芯片,易驱动且无反向恢复,适用于硬开关、快充等应用

泰高技术提供氮化镓电源芯片产品,芯片集成氮化镓驱动器与氮化镓FET,适合客户设计高功率密度和高效的AC/DC电源。以易驱动,无反向恢复的优势,非常适合于硬开关应用。

2022-09-21 -  原厂动态 代理服务 技术支持 采购服务

面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)和集成电路应用简介

描述- 本文介绍了面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)和集成电路的应用。这些器件通过微型化、高效率和出色的散热性能,实现了快充所需的最高功率密度和小尺寸。文章详细阐述了eGaN®技术的优势,包括低功耗、小尺寸、高散热效率以及无反向恢复等,并提供了相关器件型号和配置的详细信息。

型号- EPC2212,EPC2010C,EPC2059,EPC2034C,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2032,EPC2053,EPC9047,EPC2033,EPC9062,EPC9048C,EPC2204,EPC2207,EPC9010C,EPC2007C,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC90123,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC90124,EPC9091,EPC9006C

2024/8/27  - EPC  - 应用及方案 代理服务 技术支持 采购服务

DK065G 高性能 AC-DC 氮化镓电源管理芯片

描述- DK065G是一款集成了700V/260mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片,具有高效率、低功耗、高功率密度等特点。芯片内置多种保护功能,适用于高功率密度快速充电器、适配器、笔记本电脑适配器等应用领域。

型号- DK065G

2024/10/29  - 东科半导体  - 数据手册  - 版本 2.4 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

DK012G 高性能 AC-DC 氮化镓电源管理芯片

描述- DK012G是一款集成了700V/2200mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片,用于高效率和高功率密度的电源管理。它具有低待机功耗、高开关频率和多种保护功能,适用于快速充电器、适配器和辅助电源等应用。

型号- DK012G

2024/10/29  - 东科半导体  - 数据手册  - 版本 2.4 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

拆解报告:公牛65W 1A1C氮化镓充电器

充电头网通过拆解了解到,公牛这款氮化镓充电器采用杰华特JW1515HA+JW7726快充电源方案,搭配使用英诺赛科INN650D150A氮化镓开关管。采用两颗智融SW2303协议芯片分别对应USB-C和USB-A接口,并使用两颗防过充保护芯片进行自动断电功能。USB-A口采用同步升降压芯片进行电压转换。内部采用导热胶填充,增强散热性能。

2023-07-22 -  原厂动态

DK012GCN 高性能 AC-DC 氮化镓电源管理芯片

描述- DK012GCN是一款集成了700V/2200mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片,具有高效率、低功耗、简化设计和完善保护功能等特点。该芯片适用于高功率密度快速充电器、适配器、笔记本电脑适配器、平板电脑适配器、机顶盒适配器等应用。

型号- DK012GCN

2024/10/29  - 东科半导体  - 数据手册  - 版本 1.4 代理服务 技术支持 采购服务

DK80xxAP 高性能 AC-DC 氮化镓电源管理芯片

描述- DK80xxAP是一款集成700V GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片,适用于高转化效率和功率密度的产品设计。它具有多种保护功能和优化特性,如低待机功耗、高频开关、谷底检测电路等,广泛应用于快速充电器、适配器和辅助电源等领域。

型号- DK80XXAP,DK8012AP,DK8020AP,DK80XXAP 系列,DK8025AP,DK8035AP

2024/1/25  - 东科半导体  - 数据手册  - V1.0 代理服务 技术支持 采购服务

DK8607AD集成双氮化镓功率管的有源钳位反激电源管理芯片

描述- DK8607AD是一款集成双氮化镓功率管的有源钳位反激电源管理芯片,适用于高功率密度快速充电器和适配器等应用。该芯片通过漏感能量实现ZVS和ZCS,提高电源效率,降低功率管应力,并具备完善的保护功能。

型号- DK8607AD

2024/4/19  - 东科半导体  - 数据手册  - 版本 1.3 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

DK020G 高性能 AC-DC 氮化镓电源管理芯片

描述- DK020G是一款集成了700V/1200mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片,具有高效率、低功耗、宽电压输入等特点,适用于高功率密度快速充电器、笔记本电脑适配器、平板电脑适配器、机顶盒适配器等应用。

型号- DK020G

2024/10/29  - 东科半导体  - 数据手册  - 版本 2.4 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

DK036G 高性能 AC-DC 氮化镓电源管理芯片

描述- DK036G是一款集成了700V/480mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片,具有高效率、低功耗、宽工作电压范围和多种保护功能,适用于高功率密度快速充电器、适配器、笔记本电脑和平板电脑适配器等应用。

型号- DK036G

2024/10/29  - 东科半导体  - 数据手册  - 版本 2.4 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

DK020GCN 高性能 AC-DC 氮化镓电源管理芯片

描述- DK020GCN是一款集成了700V/1200mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片,具有高效率、低功耗、宽工作电压范围和多种保护功能。该芯片适用于高功率密度快速充电器、适配器、笔记本电脑适配器、平板电脑适配器、机顶盒适配器和辅助电源等应用。

型号- DK020GCN

2024/10/29  - 东科半导体  - 数据手册  - 版本 1.6 代理服务 技术支持 采购服务
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:ROHM

品类:Ultra-Fast Gate Driver

价格:

现货: 0

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥10.8000

现货:33,661

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥3.7500

现货:17,725

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥4.0080

现货:5,920

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.7480

现货:4,749

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥9.3000

现货:4,533

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.5500

现货:2,305

品牌:英诺赛科

品类:transistor

价格:¥5.5200

现货:2,270

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

现货:936

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

现货:730

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥4.7460

现货:470

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳 提交需求>

高频变压器定制

可定制平板变压器、主变压器的开关频率2MHz以内、输入电压1400V以内、输出电压1400V以内,50%以上的产品采用自动化生产,最快3天提供样品、7天交货。

最小起订量: 3000 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面