【产品】650V、8/16A的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),短路耐受时间为5μs

2018-12-19 ROHM
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罗姆(ROHM)是半导体、电子零部件的等应用的主要供应商之一,其采用沟槽栅、薄晶圆技术研发出了一种低饱和压降、低开关损耗的RGT8BM65D, RGT16BM65D系列绝缘栅双极型晶体管IGBT),为高电压、大电流应用提供了高效化和节能化解决方案。另外,晶体管具有低集电极-发射极饱和电压、低开关损耗的特点,同时内置了具有软恢复功能的快速恢复二极管,采用了TO-252的封装方式,达到无铅标准和RoHS认证,是一款绿色环保器件,可应用于焊机、UPS、通用变频器和电源调节器等领域。

 

图1 RGT8BM65D, RGT16BM65D系列IGBT的封装及其电气原理图


RGT8BM65D, RGT16BM65D系列IGBT的集电极-发射极电压VCES最大值均为650V,集电极-射极饱和压降VCE(sat)的典型值均为1.65V,低压降使产品更容易驱动。在25℃时,集电极电流IC最大值分别8/16A;100℃时,集电极电流IC最大值分别为4/8A,在25℃下的功耗PD分别为62/94W。另外,其存储温度范围在-55℃~175℃,工作结温范围为-40℃~175℃,可以在温度苛刻的环境下工作,具有高电气可靠性和安全性。两款IGBT的结壳热阻Rθ(j-c)为2.4℃/W和1.58℃/W,器件热传导性能良好。

 

在IC=4/8A,VCC=400V,VGE=15V,RG=10Ω,Tj=25℃情况下,RGT8BM65D, RGT16BM65D系列IGBT的开通延迟时间td(on)典型值分别为17/13ns,上升时间tr典型值为36/13ns,关断延迟时间td(off)典型值为69/33ns,下降时间tf典型值为71/95ns,可应用于开关切换要求快速的场合。另外,两款晶体管的栅极电荷总量Qg典型值为13.5/21nC,栅极-发射极电荷Qge典型值为4/6nC,栅极-集电极电荷Qgc典型值为5.5/8nC。电荷量极低,开关充放电时间短。同时两款IGBT的短路耐受时间为5μs,提高了器件的安全性

 

RGT8BM65D, RGT16BM65D系列绝缘栅双极型晶体管特点:

·更低的集电极 - 发射极饱和压降,使器件易于驱动

·低开关损耗

·短路耐受时间为5μs

·内置非常快速和软恢复FRD(RFN  - 系列)

·达到无铅标准,通过了RoHS认证


RGT8BM65D, RGT16BM65D系列绝缘栅双极型晶体管应用:

·焊机

·UPS

·通用变频器

·电源调节器

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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选型指南  -  无锡紫光微  - 第六版  - 2020年6月 PDF 中文 下载

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电流(A)
封装
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15A
TO-247N
Industrial Grade

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ROHM(罗姆)IGBT选型指南(英文)

描述- ROHM's IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) contribute to higher efficiency and energy savings for a wide range of high voltage and high current applications.ROHM's IGBTs contribute to greater efficiency and energy savings in a variety of high-voltage, large-current applications, including electric vehicles (EVs), trains, air conditioners, portable welding machines, DC/AC inverters.

型号- RGSX5TS65HR,RGW50TS65,RGS30TSX2DHR,RGW50TK65,RGTH40TS65,RGW40TK65,RGWX5TS65HR,RGS60TS65DHR,RGW40TS65,RGW00TS65DHR,RGSX5TS65DHR,RGS30TSX2D,RGTH50TS65,RGT20TM65D,RGTH60TS65D,RGW80TS65DHR,RGT8NS65D,RGPR50NL45HRB,RGTH60TK65D,RGT40NL65D,RGTH40TK65,RGTH00TK65D,RGT40TS65D,RGT30NS65D,RGW80TS65,RGTVX2TS65,RGW80TK65,RGT50TM65D,RGTV60TK65D,RGT16NL65D,RGW60TS65D,RGTV60TS65D,RGT50NS65D,RGS50TSX2D,RGC80TSX8R,RGW60TK65D,RGW00TK65D,RGS30TSX2HR,RGS80TSX2HR,RGTH50TK65,RGW00TS65CHR,RGTH80TS65,RGT40TM65D,RGCL80TK60,RGS30TSX2,RGTVX2TS65D,RGS00TS65DHR,RGPR20BM36HR,RGW60TS65EHR,RGW00TS65D,RGT40NS65D,RGTH80TK65,RGCL80TS60,RGS80TSX2DHR,RGW80TS65CHR,RGTH80TS65D,RGPZ10BM40FH,RGT20NL65D,RGTHD40TS65HR,RGWX5TS65EHR,RGS60TS65HR,RGTH80TK65D,RGS80TS65HR,RGT80TS65D,RGPZ30BM56HR,RGTH50TS65D,RGPR20NL43HR,RGW60TS65HR,RGW00TS65HR,RGW50TK65D,RGS80TS65DHR,RGS80TSX2,RGT50TS65D,RGW00TS65,RGW80TS65HR,RGSX5TS65E,RGT30NL65D,RGTVX6TS65,RGW80TK65E,RGW80TK65D,RGT30TM65D,RGW80TS65D,RGPR30NS40HR,RGS00TS65EHR,RGW60TS65DHR,RGWX5TS65D,RGW50TS65D,RGCL60TS60,RGT8TM65D,RGS50TSX2,RGPR10BM40FH,RGCL60TK60,RGTV80TK65,RGCL80TK60D,RGCL80TS60D,RGTV00TK65D,RGS50TSX2DHR,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,RGT8BM65D,RGWX5TS65DHR,RGTH00TS65D,RGT20NL65,RGTV60TS65,RGTV00TK65,RGWX5TS65,RGTV00TS65,RGCL60TK60D,RGT8NL65D,RGTH00TK65,RGTV60TK65,RGPR30BM40HR,RGTH60TK65,RGT60TS65D,RGT16NS65D,RGT20NS65D,RGS50TSX2HR,RGTVX6TS65D,RGW00TS65EHR,RGTH40TS65D,RGT00TS65D,RGS80TSX2D,RGTH40TK65D,RGSX5TS65EHR,RGPR20NS43HR,RGW60TS65CHR,RGW40TK65D,RGT50NL65D,RGW00TK65,RGW80TS65EHR,RGW40TS65D,RGCL60TS60D,RGS00TS65HR,RGTV80TS65D,RGW60TS65,RGTH60TS65,RGTH50TK65D,RGT16BM65D,RGT16TM65D,RGPR30BM56HR,RGW60TK65,RGTV80TK65D,RGTH00TS65

选型指南  -  ROHM  - Edition 2022  - 2022/8/3 PDF 英文 下载 查看更多版本

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ROHM IGBT products

型号- RGTVX2TR65,RGTVX2TS65,RGTV00TR65D,RGTV00TK65,RGTV60TS65,RGTVX2TR65D,RGTV00TR65,RGTV00TS65,RGW SERIES,RGTV60TK65D,RGTV60TK65,RGTV60TS65D,RGTH,RGC SERIES,RGTV,RGS SERIES,RGTVX6TR65,RGP SERIES,RGTVX6TS65,RGT SERIES,RGTVX6TS65D,RGTVX2TS65D,RGTH60TS65D,RGTV80TK65,RGTV80TS65D,RGWS,RGTV00TK65D,RGCL,RGTVX6TR65D,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,RGTV80TK65D

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品类:IGBT Intelligent Power Module (IPM)

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品类:Field Stop Trench IGBT

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品牌:ONSEMI

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品牌:ONSEMI

品类:IGBT

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品牌:RENESAS

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品类:IGBT

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模切产品精度±0.1mm,五金模精度±0.03mm,刀模精度±0.1mm;产品尺寸:10*10mm~45*750mm,厚度范围:0.1~0.7mm。支持麦拉、导热片、导热硅胶片、导热矽胶布、绝缘导热布、小五金等材料模切。

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