【产品】650V、8/16A的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),短路耐受时间为5μs

2018-12-19 ROHM
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,RGT16BM65D,RGT8BM65D IGBT,绝缘栅双极型晶体管,RGT16BM65D,RGT8BM65D IGBT,绝缘栅双极型晶体管,RGT16BM65D,RGT8BM65D IGBT,绝缘栅双极型晶体管,RGT16BM65D,RGT8BM65D

罗姆(ROHM)是半导体、电子零部件的等应用的主要供应商之一,其采用沟槽栅、薄晶圆技术研发出了一种低饱和压降、低开关损耗的RGT8BM65D, RGT16BM65D系列绝缘栅双极型晶体管IGBT),为高电压、大电流应用提供了高效化和节能化解决方案。另外,晶体管具有低集电极-发射极饱和电压、低开关损耗的特点,同时内置了具有软恢复功能的快速恢复二极管,采用了TO-252的封装方式,达到无铅标准和RoHS认证,是一款绿色环保器件,可应用于焊机、UPS、通用变频器和电源调节器等领域。

 

图1 RGT8BM65D, RGT16BM65D系列IGBT的封装及其电气原理图


RGT8BM65D, RGT16BM65D系列IGBT的集电极-发射极电压VCES最大值均为650V,集电极-射极饱和压降VCE(sat)的典型值均为1.65V,低压降使产品更容易驱动。在25℃时,集电极电流IC最大值分别8/16A;100℃时,集电极电流IC最大值分别为4/8A,在25℃下的功耗PD分别为62/94W。另外,其存储温度范围在-55℃~175℃,工作结温范围为-40℃~175℃,可以在温度苛刻的环境下工作,具有高电气可靠性和安全性。两款IGBT的结壳热阻Rθ(j-c)为2.4℃/W和1.58℃/W,器件热传导性能良好。

 

在IC=4/8A,VCC=400V,VGE=15V,RG=10Ω,Tj=25℃情况下,RGT8BM65D, RGT16BM65D系列IGBT的开通延迟时间td(on)典型值分别为17/13ns,上升时间tr典型值为36/13ns,关断延迟时间td(off)典型值为69/33ns,下降时间tf典型值为71/95ns,可应用于开关切换要求快速的场合。另外,两款晶体管的栅极电荷总量Qg典型值为13.5/21nC,栅极-发射极电荷Qge典型值为4/6nC,栅极-集电极电荷Qgc典型值为5.5/8nC。电荷量极低,开关充放电时间短。同时两款IGBT的短路耐受时间为5μs,提高了器件的安全性

 

RGT8BM65D, RGT16BM65D系列绝缘栅双极型晶体管特点:

·更低的集电极 - 发射极饱和压降,使器件易于驱动

·低开关损耗

·短路耐受时间为5μs

·内置非常快速和软恢复FRD(RFN  - 系列)

·达到无铅标准,通过了RoHS认证


RGT8BM65D, RGT16BM65D系列绝缘栅双极型晶体管应用:

·焊机

·UPS

·通用变频器

·电源调节器

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