【产品】3.3V同步突发存储器,直通方式输出、数据存取时间为7.5ns
ALLIANCE Memory推出的AS8C803625A /AS8C801825A是一款3.3V高速9,437,184位(9兆位)同步静态随机存储器。该系列产品当总线在读取和写入或写入和读取之间切换时,可通过ZBT 消除失效的总线周期,常用于工业电子、汽车电子、通信设备等领域。
AS8C803625A/AS8C801825A有包含地址,数据输入和控制信号的寄存器。因为数据输出是直通方式,所以没有输出数据寄存器。输出使能信号是唯一的异步信号,可用在任何给定的时间内禁用输出。
AS8C803625A/AS8C801825A静态随机存储器采用目前先进的高性能CMOS工艺,具有JEDEC标准14mm x 20mm 100针引脚塑料封四角扁平封装(TQFP)。
AS8C803625A/AS8C801825A系列静态同步随机存储器的特点:
·256K x 36(AS8C803625A),512K x 18(AS8C801825A)存储器配置;
·支持高性能系统速度-100MHz(7.5ns Clock-To-Data访问时间);
·零总线周转时间ZBTTM特性:写入和读取周期之间无死循环;
·内部同步输出缓冲使能消除了控制的OE(——)需要;
·单个R / W(—)(READ / WRITE)控制引脚;
·4字突发能力(交错或线性);
·单字节写入(BW(——)1 - BW(——)4)控制;
·3个芯片可实现简单的深度扩展;
·3.3V(±5%)电源电压;
·3.3V(±5%)I / O电源(VDDQ);
·通过ZZ输入减小功率;
·采用JEDEC标准100针引脚塑料封四角扁平封装(TQFP);
AS8C803625A/AS8C801825A系列静态同步随机存储器应用:
·工业电子
·通信设备
·汽车电子
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Alliance的AS8C403600/AS8C401800静态随机存储器可通过zz输入控制断电,适用于汽车电子等产品。由128K x 36 / 256K x 18内存组成的高速同步静态随机存储器,该系列静态随机存储器包含写入,数据,地址和控制寄存器。
ALLIANCE 存储器选型表
提供存储器、存储芯片、SRAM、SDRAM、DDR1、DDR2、DDR3、DDR4选型,VCC(V):0.6-5,MSL LEVEL:0-5,CLOCK(MHz):133-1866,可支持商业级/工业级/汽车级。
产品型号
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品类
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Product Family
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DENSITY
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ORGANISATION
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VCC(V)
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TEMPERATURE RANGE(°C)
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PACKAGE
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MSL LEVEL
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AS7C164A-15JCN
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存储器
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FAST-Asynch
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64K Fast
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8K x 8
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5V
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Commercial (0 ~ 70°C)
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28pin SOJ(300mil)
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3
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选型表 - ALLIANCE 立即选型
AS8C803600、AS8C801800、256K x 36、512K x 18、3.3V同步SRAM,具有3.3V i/o、流水线输出、单周期取消选择
描述- 该资料介绍了两款高速同步静态随机存储器(SRAM)产品:AS8C803600和AS8C801800。这些产品具有256K x 36和512K x 18的内存配置,支持高达150MHz的系统速度,并具备流水线输出、单周期取消选择等功能。它们采用3.3V核心电源电压,并通过JEDEC标准100引脚薄型塑料四边扁平封装(TQFP)包装。
Alliance Memory产品快速选型表(Excel)
描述- 本资料讲述的是Alliance Memory产品的选型介绍,其产品参数直接明了,可以通过参数信息快速选择对应的产品型号。
型号- AS7C256A-12TCN,AS4C256M8D2-25BIN,AS7C256A-10TIN,AS7C34096A-15TCNTR,AS4C64M4SA-6TIN,AS4C64M32MD1-5BCN,AS7C32096A-15TCNTR,AS7C34098A-15JIN,AS7C38096B-10BIN,AS4C8M16D1-5BCNTR,AS7C34098A-8TINTR,AS4C8M16D1A-5TCNTR,AS7C31024B-15TCNTR,AS7C513B-15TCN,AS7C32096A-15TIN,AS4C64M16MD2A-25BIN,AS7C256A-15TCNTR,AS4C128M32MD2A-18BINTR,AS7C3256A-10JINTR,AS7C31025B-10JCNTR,AS6C3216-55BIN,AS7C31025B-12JINTR,AS4C128M16D3B-12BCNTR,AS6C1616-55BINTR,AS7C34096A-10JIN,AS4C64M8D1-5TINTR,AS7C1024B-12TJCNTR,AS6C4008A-55TIN,AS7C34096A-12JCN,AS7C4096A-15TCN,U62256AS2C07LLG1,AS6C62256-55SCNTR,AS7C34098A-12TCN,AS7C1026B-15JINTR,AS8C401825-QC75N,AS7C316096B-10TINTR,AS7C4098A-12JIN,AS7C256A-10TINTR,AS6C6416-55TIN,AS7C4098A-15JINTR,AS4C4M16SA-6TINTR,AS4C64M8D3L-12BIN,AS4C256M16D3B-12BIN,AS4C1M16S-6TIN,AS4C8M16SA-6TINTR,AS8C801801-QC150N,AS4C8M32MSA-6BINTR,AS7C1024B-15TCN,AS7C1024B-12JCNTR,AS7C325632-10BIN,AS6C2016-55ZIN,AS4C16M16SA-6BINTR,AS7C4096A-12JCNTR,AS6C4016A-45ZIN,AS4C256M8D3LB-12BINTR,AS7C1025B-15JIN,AS7C256A-15JINTR,AS7C31024B-15TJCNTR,AS6C6416-55BINTR,AS4C64M8D3L-12BCN,AS4C16M32MD1-5BCNTR,AS7C34096B-10BIN,AS6C4016-55ZINTR,AS7C3513B-15TCNTR,AS4C128M16D3LB-12BINTR,AS6C2008A-55STINTR,AS6C1008-55SIN,AS7C31026C-12JINTR,AS4C32M16D2A-25BIN,AS4C128M16D2A-25BCN,AS6C1008-55STINTR,AS4C16M16D1-5BCN,AS4C32M16SB-7TCNTR,AS7C256A-15JCN,AS7C34098A-20TINTR,AS7C32098A-20TINTR,AS7C256A-20TIN,AS4C128M32MD2A-25BIN,AS7C34096A-20JIN,AS4C2M32SA-6TIN,AS6C62256A-70PIN,AS7C1025B-15JCN,AS6C62256-55STCN,AS7C256A-10TCN,AS4C32M16D1-5BINTR,AS6C8008-55ZINTR,AS4C16M16MSA-6BIN,AS4C128M16D3B-12BCN,AS7C3256A-12TINTR,AS7C38098A-10TIN,AS7C3256A-12JIN,AS4C64M16MD1A-5BIN,AS7C31026B-12TCN,AS4C64M8D1-5BCNTR,AS4C8M32SA-6BIN,AS7C1024C-12TJINTR,AS4C4M16D1A-5TANTR,AS4C32M16MSA-6BINTR,AS6C1008-55STINL,AS4C64M16D3LB-12BAN,AS7C34098A-12TIN,AS4C256M16D3B-12BCN,AS4C16M16MD1-6BCN,AS6C1016-55BIN,AS6C4008-55SIN,AS6C2008A-55TINTR,AS7C3256A-15TCN,AS4C64M8D1-5TCN,AS7C316096B-10TIN,AS4C4M16SA-7B2CN,AS4C8M16SA-6TAN,AS7C4096A-15TINTR,AS4C8M32MSA-6BIN,AS7C256A-12JCNTR,AS4C32M16D2A-25BINTR,AS6C1008-55SINL,AS6C1608-55BIN,AS4C8M32MD2A-25BCN,AS7C34098A-12TINTR,AS4C4M32D1A-5BCNTR,AS7C31026B-10JCN,AS6C8016-55ZINTR,AS4C4M16D1A-5TCNTR,AS4C64M16D3LB-12BCN,MT48LC64M8A2P-75:C 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AS8C403601-QC166N 128K x 36,256K x 18,3.3V同步SRAM
描述- 该资料介绍了两款3.3V同步静态随机存取存储器(SRAM):AS8C403601和AS8C401801。这些芯片具有ZBT™特性、3.3V I/O接口、突发计数器和流水线功能,适用于商业温度范围。
【产品】3.3V低功耗、低成本高速同步SRAM,可消除读写时产生的死循环
Alliance Memory推出的AS8C403601-QC166N/AS8C401801-QC166N是由4,718,592位(4.5兆位)组成。常被设计用来消除读写转换总线之间或写入和读取时产生的死循环,也因此被称为总线翻转静态随机存储器。
【产品】256K X 36, 512K X 18,3.3V同步突发静态随机存储器,直通方式输出
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AS7C351232-10BIN 由512K*32bit组成,待机电流4mA,支持全静态操作和三态输出。
256K X 36,512K X 183.3V同步ZBTTMSRAMS3.3V I/O,通过输出的突发逆流
描述- 该资料介绍了两款3.3V同步SRAM产品AS8C803625A和AS8C801825A。这些产品具有256K x 36和512K x 18的内存配置,支持高达100MHz的系统速度(7.5纳秒时钟到数据访问)。它们采用零总线周转技术(ZBTTM),消除了读写之间的死周期。此外,这些芯片具备内部同步输出缓冲器启用功能,简化了操作。
型号- AS8C803625A,AS8C801825A
【产品】1G CMOS静态随机存取存储器,为低功耗应用量身打造
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AS6C8016-55TIN是Alliance Memory推出的一款8M低功耗CMOS SRAM,30mA的工作电流典型值以及1.5µA的待机电流,使其可应用于便携设备中。
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Alliance的AS8C803601/AS8C801801静态随机存储器可实现数据的快速访问,访问时间仅3.8ns,可用于一般的计算机系统。
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
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