【产品】PANJIT推出N沟道超结MOSFET PJMP990N65EC，规格为650V/4.7A

时间： 2022-05-27 来源：PANJIT

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强茂（PANJIT）推出一款采用TO-220AB-L封装的N沟道超结MOSFET—PJMP990N65EC，在T_A=25℃的条件下，其漏源电压为650V，连续漏极电流为4.7A（T_C=25℃），漏源导通电阻R_DS(ON)最大值为990mΩ（V_GS=10V，I_D=2.0A），总栅极电荷典型值为9.7nC（V_DS=520V, I_D=4.5A, V_GS=10V）。产品符合欧盟RoHS 2.0标准，主要用于LED电源和充电器适配器等。

产品外观和示意图

产品特点：

漏源导通电阻R_DS(ON)最大值为990mΩ（V_GS=10V）

易于使用或驱动

高开关速度，低导通电阻R_DS(ON)

100%雪崩测试

100%Rg测试

无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

绿色环保塑封，符合IEC 61249标准

机械数据：

外壳：TO-220AB-L 封装

端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）

重量约为：0.0739盎司，2.0948克

产品应用：

LED电源，充电器适配器

最大额定参数和热特性(T_A=25℃，除非另有说明)：

热特性：

电气特性（T_A=25℃，除非另有说明）：

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