【产品】漏源电压50V的N沟道低压MOS管BSN20，导通电阻3Ω，实现低功耗、高效率电路控制

时间： 2023-08-27 来源：SLKOR官网

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本文为大家介绍萨科微推出的MOS管 BSN20。BSN20是一种N沟道低压MOS管，具有50V漏源电压（V_dss）和300mA连续漏极电流（I_d）。此外，它还具有3Ω的导通电阻（R_DS(on)@V_gs，I_d），在4.5V的条件下。阈值电压（V_gs(th)@Id）为1.5V@250μA。

应用背景

低压MOS管是一种MOS场效应管，其工作电压一般在30V以下。18世纪，低压MOS管的概念被提出，但由于技术限制，无法实现。随着CMOS工艺的发展，低压MOS管得以实现。此时的低压MOS管工作电压为5伏左右。现在，低压MOS管的工作电压已经降低到1伏以下，同时功耗也得到了大幅降低。低压MOS管的发展历程经历了从概念提出到实现，再到性能提升的过程，其应用范围也不断扩大。

MOS管是一种半导体器件，根据其结构和工作原理的不同，可以分为以下几种类型。N沟道MOS管（NMOS）：NMOS管是一种以N型半导体为基础的MOS管，其结构包括P型基底、N型源极、漏极和栅极。当栅极施加正电压时，形成一个N型沟道，使得漏极和源极之间形成导电通路。P沟道MOS管（PMOS）：PMOS管是一种以P型半导体为基础的MOS管，其结构包括N型基底、P型源极、漏极和栅极。当栅极施加负电压时，形成一个P型沟道，使得漏极和源极之间形成导电通路。

萨科微低压MOS管BSN20

作为一款N沟道低压MOS管，萨科微BSN20具有多项优秀的特性，使其在低压应用中得到广泛应用。BSN20的参数如下：漏源电压（V_dss）为50V，连续漏极电流（I_d）为300mA，导通电阻（R_DS(on)@V_gs，I_d）为3Ω@4.5V，阈值电压（V_gs(th)@Id）为1.5V@250μA。这些参数使得BSN20具有良好的性能，下面我们来看一下这些参数具体发挥什么作用。

萨科微MOS管BSN20产品图

以上所说的BSN20主要参数包括漏源电压、连续漏极电流、导通电阻和阈值电压等。这些参数决定了BSN20在电路中的应用范围和性能表现。在一些高压应用中，电路中的元器件需要承受较高的电压负载，如果元器件的电压承受能力不足，就会导致元器件损坏或电路失效。BSN20的漏源电压为50V，可以满足一些高压应用的需求，例如电源管理、电机驱动、LED驱动等领域。

萨科微MOS管BSN20背面图

BSN20的导通电阻为3Ω@4.5V，在电路中，当BSN20导通时，其电阻非常小，只有3Ω，在电源管理领域，BSN20可以用于DC-DC转换器、稳压器、电池充电器等电路中，实现低功耗、高效率的电路控制。

萨科微MOS管BSN20参数

此外，BSN20的阈值电压为1.5V@250μA。在电路中，实现低电压驱动和高精度的电路控制与低阈值电压有密切关系。在电路中，元器件的阈值电压越低，其输出电流就越容易受到控制，从而完成更加[敏感词]的电路控制，BSN20的阈值电压为1.5V@250μA，非常低，能够实现低电压驱动和高精度的电路控制。

综上所述，萨科微低压MOS管BSN20是一种具有高效率、高稳定性、低压操作、小封装等特点，适用于低压开关电源、电机驱动器、DC/DC转换器、LED照明、电池保护和其他低压应用的MOS场效应晶体管。同时，在使用BSN20之前，需要仔细阅读产品规格书，并按照规定的条件进行使用，同时注意防静电，以避免器件损坏。

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