【产品】800V/7A的车规级N沟道功率MOSFET R8007AND3FRA，采用TO-252封装
ROHM推出的R8007AND3FRA是漏源电压为800V，连续漏极电流为±7A的N沟道功率MOSFET 。该产品采用TO-252封装，符合AEC-Q101标准，适用于开关电源应用。
图1 R8007AND3FRA的产品图及电路图
最大额定值方面，R8007AND3FRA的脉冲漏极电流为±21A。耗散功率为140W。产品的结温为150℃，工作结温和存储温度范围为-55℃~150℃。该产品的结壳热阻最大为0.89℃/W，散热性能较好。
R8007AND3FRA的特点：
低导通电阻
快速开关速度
驱动电路简单
无铅电镀，符合RoHS标准
AEC-Q101认证
R8007AND3FRA的应用：
开关电源
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本资料为ROHM公司生产的R8007AND3FRA型号N沟道MOSFET的数据手册。该器件是一款高压、大电流的功率MOSFET，适用于开关电源等领域。
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