【产品】串行EEPROM存储器BR24G16-3，可反复擦写高达100万次、适用于双摄手机
当前几乎在所有应用中均要求实现整个系统的低电压化。同时，随着高性能化发展，数据量日益增加，还要求更高速地将信息读取/写入到存储器。在此背景下，ROHM株式会社推出了BR24G16-3系列串行EEPROM存储器产品，此系列产品非常适合用于各种要求高存储器带宽的产品，尤其适用于高性能工业应用和对可靠性要求高的医疗领域。
BR24G16-3系列串行EEPROM存储器产品，包含以下型号：BR24G16-3, BR24G16F-3,BR24G16FJ-3,BR24G16FV-3,BR24G16FVT-3,BR24G16FVJ-3,BR24G16FVM-3,BR24G16NUX-3,BR24G16QUZ-3，由于EEPROM产品比Flash产品在擦写次数上有着更大的优势，再加上更小的尺寸和较低的擦写电流，因此成为智能手机中首选的存储技术。手机双摄像头如今已经成为标配。另外，前置摄像头的配置也越来越高，这些摄像头都可以用到此系列串行EEPROM。该系列串行EEPROM存储器可以反复擦写高达100万次，100年的数据保持的可靠特性，大大提升了在同类产品中的竞争力。
图一：BR24G16-3系列串行EEPROM存储器结构框图
EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，因此频繁写入/擦除是EEPROM面对的最常见工况，低工作电流就显得尤为重要，BR24G16-3系列串行EEPROM存储器在写操作时，其工作电流最大值为2mA。在读操作时，其工作电流最大值为0.5mA。在待机状态下，其工作电流最大值为2μA，如此的低功耗使所搭载的系统更具产品竞争力。
BR24G16-3系列串行EEPROM存储器采用多种封装形式，其中的VMMP008Z1830封装，尺寸仅为1.85mm x 3.00mm x 0.40mm （W(Typ) x D(Typ) x H(Max)），能够为开发人员的轻薄产品设计带来充足的便利。
BR24G16-3系列串行EEPROM存储器产品主要特性：
•完全符合世界I2C BUS总线标准，所有控制均由2个串行时钟（SCL）和串行数据（SDA）端口提供
•除EEPROM之外的其他设备可以连接到同一个端口，从而节省了微控制器端口
•1.6V~5.5V单电源，适合电池使用
•400 kHz快速操作模式，1.6V~5.5V宽操作电压
•高达16字节的页写入模式
•2K×8bit位制式
•自定时擦/写周期
•低电流消耗
•防止误写入
--写入（写入保护）功能
--防止低电压写入错误
•超过100万个写入周期
•40年以上的数据保存
•SCL/SDA端子内置噪声滤波器
•存储器初始数据=FFh
BR24G16-3系列串行EEPROM产品典型应用：
•智能手机
•医疗产品
•工业产品
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