【产品】ROHM N沟道小信号MOSFET RV2E014AJ，结温高达150°C，适用于开关领域
RV2E014AJ是ROHM推出的一款N沟道小信号MOSFET，具有低导通电阻、高电流等特点。绝对最大额定值（Ta=25°C）方面，其漏源电压VDSS为30V，VGS=4.5V时的连续漏极电流ID*2为±1.4A，耗散功率PD*2为600mW，结温高达150°C。电气特性(Ta=25°C)方面，该器件具有低静态漏源导通电阻，其RDS(on)（脉冲）最大值为290mΩ（VGS=4.5V，ID=1.4A）。其栅源漏电流IGSS的最大值仅为±100nA（VGS=±12V，VDS=0V）。该器件采用高功率小型封装，无卤素，符合RoHS标准，可用于开关领域。其产品外形及内部电路如下图所示。
特点：
• 低导通电阻
• 高电流
• 高功率小型封装（DFN1006）
• 无铅引线电镀，符合RoHS标准
应用：
• 开关
绝对最大额定值（Ta=25°C，除非另有说明）
注释：
*1 Pw≦10μs，占空比≦1%
*2 安装在FR4板上 (25.4mm x 25.4mm x 0.8mm, Cu Pad : 645mm2), Pw≦5s
*3 安装在FR4板上（20.0mm x 12.0mm x 0.8mm，Cu Pad : 45mm2）
*4 脉冲
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