【经验】以SCT3040KR为例说明SiC MOSFET的Vgs尖峰可通过SBD和MOSFET的设计来进行抑制
SiC MOSFET的Vgs尖峰是影响SiC MOSFET设计的痛点。尖峰抑制得好，将提升产品应用的可靠性。图1是采用抑制的MOSFET（Q53）和钳位SBD（D55和D56）来实现SiC MOSFET设计的尖峰抑制。
在参考设计的原理图上，Q51采用的是ROHM的SCT3040KR（同样适用于SCT3040KL）系列。其中搭建Active-MOSFET（Q53）的设计下，D55二极管结合C58可形成正电压尖峰的抑制，D56二极管结合C59可形成负电压尖峰的抑制。C67主要是防自启动。
图1：设计原理图
图2中外置驱动电阻采用3.3Ω的情况下测试的波形，蓝色曲线是采用了SBD和MOSFET的设计方案，红色曲线是无钳位SBD和MOSFET的曲线。通过曲线对比，采用钳位SBD和MOSFET消除的自启动电流（Id曲线）和抑制了尖峰电压（Vgs）。
图2：外置电阻3.3Ω的Sic MOSFET相关参数测试波形
图3中外置驱动电阻采用10Ω的情况下测试的波形。通过曲线对比，采用钳位SBD和MOSFET消除的自启动电流和抑制了尖峰电压。但是当外置电阻加大，Vgs曲线尖峰更大且Id电流曲线可以看出自启动现象更加显著。故增加钳位SBD和MOSFET的抑制效果更加明显。
图3：外置电阻10Ω的Sic MOSFET相关参数测试波形
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