【产品】由SiC-UMOSFET和SiC-SBD组成的碳化硅功率模块，符合ROHM标准

时间： 2018-11-10 来源：ROHM

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碳化硅功率模块,SiC功率模块,BSM400C12P3G202,BSM600C12P3G201

在世界电子行业中，ROHM（罗姆）株式会社的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。今年三月份罗姆新推出了两款碳化硅功率模块——BSM400C12P3G202和BSM600C12P3G201（简称G系列），由SiC-UMOSFET和SiC-SBD组成的斩波模块，符合ROHM标准，适用于电机驱动，转换器，光伏，风力发电。

BSM400C12P3G202、BSM600C12P3G201碳化硅功率模块的栅极-源极电压范围（浪涌<300nsec）都是-4~26V；漏极-源电压和重复反向电压均是1200V；通态静态漏源电压都是2.6V；漏电流分别是400A{DC(Tc=32℃)V_GS=18V}和600A{DC(Tc=50℃)V_GS=18V}，输入电容分别是17nF和28nF，这些参数表现了器件低浪涌和低开关损耗的特点，还具有较高的稳定性与可靠性。此外，G系列的两款碳化硅功率模块的切换速度极快，它们的开启时间分别只有55ns和70ns；反向恢复时间分别为25ns和20ns；关断时间分别为180ns和240ns。

除了以上之外，BSM400C12P3G202、BSM600C12P3G201碳化硅功率模块UMOSFET部分的结-壳热阻分别为96°C/kW和 61°C/kW，SBD部分的结-壳热阻分别为80°C/kW和 61°C/kW，添加散热器后将降至15°C/kW，降低了温度依赖性。且G系列产品工作温度范围和储存温度范围分别是-40~150℃和-40~125℃，最高结温为175℃，满足工业应用对温度的要求，环境适应性较好。

图1. BSM400C12P3G202、BSM600C12P3G201碳化硅功率模块的内部电路图

BSM400C12P3G202、BSM600C12P3G201碳化硅功率模块的主要特点：

•符合ROHM标准

•低浪涌，低开关损耗：

栅极-源极电压范围（浪涌<300nsec）：-4~26V

漏极-源电压和重复反向电压：1200V

通态静态漏源电压：2.6V

漏电流分别是：400A和600A

输入电容分别是：17nF和28nF

•高速切换：

开启时间分别：55ns和70ns

反向恢复时间分别：25ns和20ns

关断时间分别：180ns和240ns

•温度依赖性低

UMOSFET部分的结-壳热阻分别：96°C/KW和 61°C/KW

SBD部分的结-壳热阻分别:80°C/KW和 61°C/KW

散热器影响后的热阻：15°C/KW

工作节温度范围：-40~150℃

储存温度范围：-40~125℃

最高节温：175℃

BSM400C12P3G202、BSM600C12P3G201碳化硅功率模块的主要应用：

•电机驱动

•转换器

•光伏

•风力发电。

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xuepiaomengfei Lv7. 资深专家 2018-11-16

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