【产品】导通电阻典型值仅6.8mΩ的N沟道功率MOSFET RU6070L-A，适用于电源管理和负载开关等
锐骏半导体推出的RU6070L-A是一款N沟道功率MOSFET，采用超高密度单元设计，具有超低导通电阻。其漏源电压为60V，栅源电压为±25V，漏极持续电流为70A（@VGS=10V，TC=25℃），漏源导通电阻典型值为6.8mΩ（@VGS=10V，IDS=35A），采用TO252封装。
产品特征
漏源电压60V，漏极持续电流70A（@VGS=10V，TC=25℃）
导通电阻RDS(ON)典型值6.8mΩ@VGS=10V
超高密度单元设计
超低导通电阻
100%雪崩测试
无铅环保器件（符合RoHS标准）
产品应用
电源管理
开关应用
负载开关
极限参数
电气参数（TC=25℃，除非另有说明）
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