【经验】GaN FET INN100W02的LiDAR Demo板1-2ns级驱动信号产生办法
英诺赛科GaN FET器件INN100W02的LiDAR Demo板是针对LiDAR（激光雷达）市场的测试评估板。最简单也最常见的激光驱动器方案是谐振电容放电驱动器，如下图所示。FET Q1通过寄生电感L1和激光器DL使电容C1谐振放电。为了消除寄生电感L1带来的影响并实现所需要的快速电流上升时间，C1需充电至相对较高的电压（通常为25~150V），FET Q1必须能够承受这个电压和传导峰值电流并在1ns或更短的时间内导通。GaN FET是唯一可以满足这些要求的现有低成本半导体功率开关器件。
为了得到1-2ns级驱动信号，需要在GaN驱动IC前端做一些信号处理，本文主要介绍英诺赛科INN100W02的LiDAR Demo板1-2ns级驱动信号的形成方法。
图1 英诺赛科 INN100W02 器件LiDAR Demo 板原理图
Demo GaN FET INN100W02驱动采用的是TI LMG1020，1-2ns级驱动信号产生原理如图2 所示：
脉冲信号输入经过AND（与门）逻辑IC，INPUT2输入口经过R9（4.3K）、 C11（15pF） RC延时信号进入AND门 SN74LVC1G08DCKR。
从上图可以看出AND门输入B端口经过延时达到输入高电平VIH=0.7VCC=3.5V（SN74LVC1G08DCKR供电电压VCC=5V）。A/B信号同时满足高电平VIH要求后输出OUT才会产生驱动信号。通过该方法可以达到1-2ns驱动脉冲信号。
图2 AND门SN74LVC1G08DCKR输入信号条件
在进行调试时，可以将输入脉冲信号从100ns开始，慢慢减小脉冲宽度，知道在LMG1020 IN+信号端口测试到1-2ns信号为止。如果不需要减小脉冲宽度，可以将电阻R9设置为0Ω，C11电容去除。这样得到的信号不会经过处理。
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