【产品】采用DFN封装的硅基氮化镓增强型功率晶体管INN650D190A，最大漏源电压650V

时间： 2022-08-05 来源：英诺赛科

技术问答

英诺赛科（Innoscience）推出的产品INN650D190A为650V硅基氮化镓增强型功率晶体管，采用双扁平无引线封装（DFN），尺寸为8mm×8mm。

产品特点：

增强型晶体管——常关断型功率开关
超高开关频率
无反向恢复电荷
低栅极电荷，低输出电荷
符合JEDEC标准的工业应用要求
防静电
RoHS，无铅，符合REACH标准

产品应用：

DCM/BCM PFC
AHB DCDC转换器，LLC DCDC转换器，QR Flyback DCDC转换器，ACF DCDC转换器
LED驱动器
电池快充
笔记本电脑、AIO适配器
桌面PC电源，ATX电源，电视电源，电动工具电源

关键性能参数：

在T_j=25℃情况下

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全部评论（1）

WilberTse Lv6. 高级专家 2022-08-06

不错！

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型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A

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型号- INN650N05,INN650D140A,INN650DA2K2A,INN650N2K2A,INN650D190A,INN650N500A,INN650D240A,INN650DA600A,INN650DA500A,INN650N600A,INN650DA190A,INN650N190A,INN650DA240A,INN650DA140A,INN650DA350A,INN650N140A,INN650N240A,INN650N350A

测试报告 - 英诺赛科 - Revision 1.4 - May/25/2022 PDF 英文下载

INN650D190A 650V GaN Enhancement-mode Power Transistor

型号- INN650D190A

数据手册 - 英诺赛科 - Rev. 1.0 - 2022/04/22 PDF 英文下载

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