【产品】采用DFN封装的硅基氮化镓增强型功率晶体管INN650D190A,最大漏源电压650V

2022-08-05 英诺赛科
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英诺赛科(Innoscience)推出的产品INN650D190A为650V硅基氮化镓增强型功率晶体管采用双扁平无引线封装(DFN),尺寸为8mm×8mm。



产品特点:

  • 增强型晶体管——常关断型功率开关

  • 超高开关频率

  • 无反向恢复电荷

  • 低栅极电荷,低输出电荷

  • 符合JEDEC标准的工业应用要求

  • 防静电

  • RoHS,无铅,符合REACH标准


产品应用:

  • DCM/BCM PFC

  • AHB DCDC转换器,LLC DCDC转换器,QR Flyback DCDC转换器,ACF DCDC转换器

  • LED驱动器

  • 电池快充

  • 笔记本电脑、AIO适配器

  • 桌面PC电源,ATX电源,电视电源,电动工具电源


关键性能参数:

在Tj=25℃情况下


引脚信息:


订购信息:

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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  • WilberTse Lv6. 高级专家 2022-08-06
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DCM瓷介电容器 TYPE DCM DISC CERAMIC CAPACITORS

型号- DCT,DCC,DCS,DCF,DCH,DCG,DCM471K20Y5PL63L5A0,DCM

数据手册  -  南方宏明  - 2016/6/16 PDF 中英文 下载

应用笔记或设计指南  -  CISSOID  - Version: 1.5  - 7-Sep-17 PDF 英文 下载

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

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品类:GaN FET

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

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品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

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品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

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品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.5500

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品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

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品类:E-Mode GaN FET

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PD/QC快充测试

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