【产品】600VN沟道金属氧化物场效应晶体管，适用于开关电源

时间： 2018-05-07 来源：Shindengen

技术问答

SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出了一款型号为P10F60HP2/P12F60HP2适用于开关电源的N沟道金属氧化物场效应晶体管，相对于P沟道MOS管，导通电阻更小，并且容易制造。最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大漏极持续电流（DC）Id为10.0/12.0A，所用的框架和引脚采用无缝焊接技术锻造而成，拥有更好的封装和阻燃性能。具有高电压、低导通电阻、高切换速度、高雪崩耐久性、高di/dt耐久性等优点。可应用于开关电源，负载/电源开关，驱动器等应用。

采用SMD（Surface Mounted Devices）表面贴装，以Sn为主要材料，大多采用内箱直径为180mm的Tape & Reel带卷式封装。具体封装形态为FTO-220AG，是一款具体尺寸为28.5mm（W）X10.0mm（H）X4.5mm（D）mm，适用于小型嵌入式电器设计。

图1 P10F60HP2外部视图

P10F60HP2/P12F60HP2的最大栅极/源极电压VGSS为±30V，最大总耗散功率Pt为85.0/90.0W，提高了能源利用效率，同时保障了MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性。其静态漏源导通电阻Rds典型值为0.67/0.56Ω，最高沟道温度Tch为150.0℃，总栅极电荷量典型值Qg为23.0/26.5 nC。

图2 P10F60HP2典型输出特性及转移特性曲线

P10F60HP2/P12F60HP2的主要特点：

• 最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大栅极/源极电压VGSS为±30V

• 最大漏极持续电流（DC）Id为10.0/12.0A，最大总耗散功率Pt为85.0/90.0W

• 静态漏源导通电阻Rds典型值为0.67/0.56Ω

• 最高沟道温度Tch为150.0℃

• 总栅极电荷量典型值Qg为23.0/26.5 nC

• 采用FTO-220AG封装, 尺寸大小为28.5mm（W）X10.0mm（H）X4.5mm（D）

P10F60HP2/P12F60HP2的典型应用：

• 开关电源

• 负载/电源开关

• 驱动器

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全部评论（1）

serena Lv7. 资深专家 2018-05-07

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选型指南 - SHINDENGEN - December 2023 PDF 英文下载

芯圣电子MOS全系列产品，具有输入阻抗高、噪声低等优势，适用于开关电源、镇流器等高频电源领域

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数据手册 - SHINDENGEN - Rev.02 - 2022.03 PDF 英文下载查看更多版本

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【产品】280V/10A的N沟道功率MOS管 P10B28HP2，导通电阻仅0.3Ω

P10B28HP2是新电元（ShinDengen）公司推出的一款针对工业化应用的N沟道金属氧化物场效应晶体管，具有高电压、低噪声、低导通电阻的特点。广泛使用于负载/电源开关，电源转换器电路，高速脉冲放大器等应用。

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型号- P12F60HP2

数据手册 - SHINDENGEN - Rev.02 - 2022.03 PDF 英文下载查看更多版本

【产品】表贴封装的双增强型金属氧化物半导体场效应晶体管

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新产品发布时间 : 2018-03-20

【产品】汽车级高压型高边/低边栅极驱动器BM60212FV-C，专为驱动MOSFET或IGBT

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Shindengen（新电元）功率MOSFETs P8B28HP2数据手册

型号- P15F60HP2-5600,P15F50HP2,P7F60HP2,P36F28HP2,P26F28HP2,P12F60HP2-5600,P8F28HP2,P6B40HP2,P8F50HP2-5600,P1R5B40HP2,P8F28HP2-5600,P1B52HP2,P4B40HP2,P4F60HP2,P21F28HP2-5600,P12F60HP2,P6B52HP2-5071,P0R5B60HP2,P5F50HP2,P15F60HP2,P13F28HP2,P5B52HP2,P3B60HP2,P4B40HP2-5071,P8F50HP2,P8B28HP2,P5B52HP2-5071,P3F60HP2-5600,P6B52HP2,P4B60HP2,P10F50HP2,P20F50HP2-5600,P5F60HP2,P10F50HP2-5600,P0R5B60HP2-5071,P20F50HP2,P9B40HP2-5071,P4F60HP2-5600,P21F28HP2,P1R5B40HP2-5071,P13F50HP2,P17F28HP2,P13F50HP2-5600,P8B28HP2-5071,P6B40HP2-5071,P5F60HP2-5600,P9B40HP2,P6B28HP2,HIPOTMOS,P4B60HP2-5071,P6F50HP2,P10F60HP2-5600,P1B52HP2-5071,P3B28HP2,P3F60HP2,P10F60HP2,P3B28HP2-5071,P6F50HP2-5600,P5F50HP2-5600,P26F28HP2-5600,P15F50HP2-5600,P7F60HP2-5600,P3B60HP2-5071,P36F28HP2-5600

数据手册 - SHINDENGEN - 2016年02月22日 PDF 英文下载

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