【产品】20V/6A双N沟道高级功率MOSFET RU8205BG，无铅环保，适用于电源管理
RU8205BG是由锐骏半导体推出的一款双N沟道高级功率MOSFET，其漏源电压20V，漏极持续电流6A(@VGS=4.5V，TA=25℃)。该产品具有超低导通电阻、超高密度单元设计、无铅环保等特点，适用于电源管理应用。
产品特征：
漏源电压20V，漏极持续电流6A(@VGS=4.5V，TA=25℃)
导通电阻：
典型值16mΩ(Typ.)@VGS=4.5V
典型值18mΩ(Typ.)@VGS=2.5V
超低导通电阻
超高密度单元设计
可靠，坚固
无铅环保(符合RoHS标准）
产品应用：
电源管理
极限参数：
电气参数（TA=25℃，除非另有说明)：
订购信息：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由月白翻译自锐骏半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】20V/6A双N沟道高级功率MOSFET RU8205G，具有超高密度单元设计，适用于电源管理
锐骏半导体推出的双N沟道高级功率MOSFET RU8205G，其漏源电压20V，漏极持续电流6A，最大结温150℃。该产品还具有超高密度单元设计、可靠坚固、无铅环保等特点，适用于电源管理。
【产品】30V/20A双N沟道高级功率MOSFET RU30D20M3，适用于开关应用系统
锐骏半导体推出RU30D20M3型号的双N沟道高级功率MOSFET，漏源电压30V，漏电流最大可达20A，温度范围-55~150℃，经过100%雪崩测试，无铅器件，符合RoHS要求，适用于开关应用系统，服务器的板载电源，同步整流应用场合。
【产品】采用超高密度单元设计的双N沟道高级功率MOSFET RU8205C6，适用于电源管理
锐骏半导体推出的RU8205C6是一款具有超低导通电阻、超高密度单元设计、无铅环保等特点的双N沟道高级功率MOSFET，该产品适用于电源管理。
【选型】可用于移动电源的MOSFET选型推荐
MOSFET在移动电源中，关注耐压，耐流值，除了电池管理电路那部分还需要额外关注导通电阻，本文主要主要介绍移动电源工作原理以及推荐锐骏半导体的MOSFET，具体的产品可以根据客户需求来进行选择。
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论