【产品】20V/6A双N沟道高级功率MOSFET RU8205BG，无铅环保，适用于电源管理
RU8205BG是由锐骏半导体推出的一款双N沟道高级功率MOSFET，其漏源电压20V，漏极持续电流6A(@VGS=4.5V，TA=25℃)。该产品具有超低导通电阻、超高密度单元设计、无铅环保等特点，适用于电源管理应用。
产品特征：
漏源电压20V，漏极持续电流6A(@VGS=4.5V，TA=25℃)
导通电阻：
典型值16mΩ(Typ.)@VGS=4.5V
典型值18mΩ(Typ.)@VGS=2.5V
超低导通电阻
超高密度单元设计
可靠，坚固
无铅环保(符合RoHS标准）
产品应用：
电源管理
极限参数：
电气参数（TA=25℃，除非另有说明)：
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