【产品】650V氮化镓增强型功率晶体管P1H06300D8， 采用DFN 8X8封装
P1H06300D8是派恩杰的一款采用DFN 8X8封装的氮化镓增强型功率晶体管，漏源电压达650V，连续漏极电流为10A（VGS=6V、Tc=25 ℃时），具有超快的开关速度，可提升系统效率和功率密度，实现更高频工作，节省系统成本。可应用于消费型领域的开关电源、高功率密度充电器、图腾柱PFC等领域。
产品特性
• 超快的开关速度
• 无反向恢复电荷
• 能反向传导
• 低栅极电荷，低输出电荷
优势
• 提升系统效率
• 提升功率密度
• 高频工作
• 节省系统成本
应用领域
• 消费型领域的开关电源
• 基于半桥拓扑结构的高功率密度充电器
• 图腾柱PFC，高频LLC和Flyback变换器
表1 最大额定值（TJ=25℃，除非额外标记）
表2 电气特性
订购信息
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英诺赛科（Innoscience）INN650D02—650V GaN增强型功率晶体管数据手册
描述- INN650D02 650V GaN Enhancement-mode Power Transistor Datasheet
型号- INN650D02
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