【元件】 NCE新推漏-源电压100V的N沟道功率MOSFET NCEP01T25LL，适用于高频开关和同步整流
NCE（新洁能）新推出NCEP01T25LL的N沟道功率MOSFET，运用一种独特地优化超级沟槽技术，以提供高效的高频开关性能。由于RDS(ON) 和Qg的超低组合，导通和开关功耗达到最低。该器件是高频开关和同步整流的绝佳选择。
一般特性
VDS=100V，ID=250A，RDS(ON)=2.2mΩ（典型值）@VGS=10V
优异的FOM产品：Qg×RDS(on)
低导通电阻RDS(on)
工作温度175℃
采用无铅电镀引线
100%UIS测试
100%∆Vds测试
应用
DC/DC转换器
高频开关和同步整流的绝佳选择
注释：
1. 重复额定值：脉冲宽度受限于最大结温
2. 表面贴装在FR4板上，t≤10秒
3. 脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs，占空比≤2%
4. 由设计保证，不受生产限制
5. EAS条件：Tj=25℃，VDD=50V，VG=10V，L=0.5mH，Rg=25Ω
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