【元件】 NCE新推漏-源电压100V的N沟道功率MOSFET NCEP01T25LL，适用于高频开关和同步整流

时间： 2023-02-09 来源：NCE

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NCE（新洁能）新推出NCEP01T25LL的N沟道功率MOSFET，运用一种独特地优化超级沟槽技术，以提供高效的高频开关性能。由于R_DS(ON) 和Q_g的超低组合，导通和开关功耗达到最低。该器件是高频开关和同步整流的绝佳选择。

一般特性

V_DS=100V，I_D=250A，R_DS(ON)=2.2mΩ（典型值）@V_GS=10V

优异的FOM产品：Q_g×R_DS(on)

低导通电阻R_DS(on)

工作温度175℃

采用无铅电镀引线

100%UIS测试

100%∆Vds测试

应用

DC/DC转换器

高频开关和同步整流的绝佳选择

注释：

1. 重复额定值：脉冲宽度受限于最大结温

2. 表面贴装在FR4板上，t≤10秒

3. 脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs，占空比≤2%

4. 由设计保证，不受生产限制

5. EAS条件：Tj=25℃，V_DD=50V，V_G=10V，L=0.5mH，Rg=25Ω

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