【产品】1600V/66A可控硅整流器，助力大功率整流应用

时间： 2018-01-24 来源：Kyocera（世强编辑整理） 作者：张山三

技术问答

PAT/PAH3016是日本著名半导体公司KYOCERA（京瓷）推出的一款可控硅整流器。它的断态重复峰值电压V_DRM为1600V，断态非重复峰值电压V_DSM为1700V，能够在高电压条件下持续工作，可用于交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

PAT/PAH3016可控硅整流器的通态电流有效值I_T(RMS)为66A（在半正弦波通电，Tc=96℃时），浪涌通态电流I_TSM可达600A（半正弦波，1脉冲，非重复性），拥有较好的抗浪涌能力，能够保证器件可靠性，电流平方时间积I²t为1800A²s（2~10ms），能够承受一定程度的能量冲击。器件的通态电流临界上升率 di/dt为100A/µs（_VD=2/3V_DRM，I_TM=I_T(RMS)，Tj=125℃，I_G=200mA，d_iG/dt=0.2A/µs），断态电压临界上升率 dv/dt最小值为500V/µs（Tj=125℃，V_D=2/3V_DRM）。

PAT/PAH3016可控硅整流器的结温范围Tjw及存储温度范围Tstg均为-40 ~ +125℃，可满足工业需求，适应较恶劣的工业环境，其门极峰值功率P_GM为5W，门极平均功率P_G为1W，较容易达到触发条件，门极峰值电流I_GM为2A，门极峰值电压V_GM为10V，门极反向峰值电压V_RGM为5V，有着较好的过压保护能力。其绝缘耐压值Viso可达2500V，可减少信号干扰，有效对器件进行保护。

PAT/PAH3016可控硅整流器的断态峰值电流I_DM最大值均为20mA（Tj=125℃，V_DM=V_DRM），通态峰值电压V_TM最大值仅1.5V（Tj=25℃，I_TM=90A），器件在电路中有较低的损耗，其门极触发电流I_GT最大仅200mA（V_D=6V,I_T=1A,Tj=-40℃）,门极触发电压V_GT最大仅4V（V_D=6V,I_T=1A,Tj=-40℃）,门极不触发电压V_GD最小值为0.25V（Tj=125℃，V_D=2/3V_DRM），有利于电路启动。器件的开启时间t_gt、延迟时间t_d以及上升时间tr标准值分别为6µs、2µs、4µs（Tj=25℃，I_TM=I_T(RMS)，V_D=100V，I_G=200mA，diG/dt=0.2A/µs），有较快的开关速度。其擎住电流I_L标准值为100mA（Tj=25℃），维持电流I_H标准值为50mA（Tj=25℃），这使得其较容易的维持导通状态。此外，它们的热阻Rth（j-c）最大值为0.35℃/W，接触热阻Rth（c-f）最大值为0.1℃/W，拥有出色的散热性能，可在高温的工作环境下持续工作。

PAT/PAH3016可控硅整流器的主要特点：
•通态电流有效值：IT(RMS)=66A（半正弦波，Tc=96℃）
•断态重复峰值电压：V_DRM=1600V
•浪涌通态电流：I_TSM=600A（50Hz正弦半波，1脉冲，非重复）
•周期电流平方时间积I²t：1800A²s（2~10ms）
•通态电流临界上升率 di/dt：100A/µs（V_D=2/3V_DRM，I_TM=I_T(RMS)，Tj=125℃，I_G=200mA，diG/dt=0.2A/µs）
•断态电压临界上升率 dv/dt最小值：500V/µs（Tj=125℃，V_D=2/3V_DRM）
•绝缘耐压值Viso可达2500V
•门极触发电压最大仅4V（V_D=6V,I_T=1A,Tj=-40℃）
•门极触发电流最大仅200mA（V_D=6V,I_T=1A,Tj=-40℃）
•断态峰值电流I_DM最大值：20mA（V_RM=V_DRM，Tj=125℃）
•通态峰值电压最大值：1.5V（Tj=25℃，I_TM=90A）
•维持电流I_H标准值：50mA（Tj=25℃）
•热阻：Rth（j-c）最大值：0.35℃/W

图一：PAT/PAH3016可控硅整流器回路图

图二：PAT/PAH3016可控硅整流器轮廓图

图三：PAT/PAH3016可控硅整流器通态电流VS电压示意图

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Ranger Lv8. 研究员 2018-08-30

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terrydl Lv9. 科学家 2018-07-30

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yuyu Lv8. 研究员 2018-07-30

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用户18396822 Lv8 2018-06-25

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大虾 Lv6. 高级专家 2018-06-07

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用户35796535 Lv3. 高级工程师 2018-01-24

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彤浩 Lv8. 研究员 2018-01-24

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