【经验】泰高Superior GaN功率级设计的散热注意事项

时间： 2022-08-26 来源：泰高

技术问答

GaN FET实现了高频电源转换器设计。凭借出色的开关特性和零反向恢复损耗，这种轻量级设计具有更高的功率密度和更小的尺寸。为了充分利用GaN的快速开关速度，需要更大限度地减小电源环路电感。这需要仔细考虑PCB布局，并对GaN FET采用电感超低的封装。良好的热设计对于电力电子转换器非常重要。理想的热传递应在热量流程中提供良好的导热性和超低的热阻。

注意事项

· 封装热阻

泰高技术的TP44X00SG系列GaN功率级采用低电感QFN封装，可避免长引线和键合线产生高电感，从而实现快速开关速度。

· PCB堆叠

结的热量从散热焊盘传递到PCB的顶层，然后通过多个散热过孔传递到PCB的底层。PCB的热阻是电路板厚度、各层铜厚、方向和散热过孔数量的函数。

· 热界面材料 (TIM)

用于对散热器进行热耦合，并使散热器与PCB的底部铜层实现电气绝缘。要形成良好的散热界面，需要一定的厚度进行间隙填充。

· 散热器

散热器是热管理中非常重要的因素之一，它影响着系统的总功率密度。

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全部评论（1）

zwjiang Lv9. 科学家 2022-09-03

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