【产品】三款采用TO-92经典插件型封装的硅N沟道JFET系列,专为通用开关电路和放大器电路应用而设计

2018-11-15 Central Semiconductor
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2N54572N54582N5459是美国Central公司推出的一系列经典型硅N沟道JFET(结型场效应管),其产品性能稳定,质量上乘,一经推出便广受市场的好评与青睐,并且经久不衰。该系列器件的封装选用TO-92的经典插件型,采用环氧树脂封装,其具有体积小、重量轻、绝缘好、壳体坚固等机械优点。该系列器件是为了通用开关电路和放大器电路应用,而专门设计生产的。器件的特性鲜明,优点突出,切合其设计目的。

 


图1  2N5457、2N5458、2N5459系列硅N沟道JFET的产品图

 

2N5457、2N5458、2N5459系列硅N沟道JFET在较低频(1.0kHz)时的正向跨导值gfs分别为2N5457:1.0~5.0KμS,2N5458:1.5~5.5KμS,2N5459:2.0~6.0KμS。较大的跨导值显示出,该系列器件有着较高的放大增益效果,极适合用在放大器电路的应用中。而另一方面,在较高频(1.0MHz)时,其栅短路共源反向传输电容Crss值均为3.0pF,栅短路共源输入电容Ciss值均为7.0pF。在高频应用中的高速极间电容充放,能使该系列器件的响应时间达到微秒级别,能适合应用在高频快速响应开关电路中。

 


图2  2N5457、2N5458、2N5459系列硅N沟道JFET的封装尺寸示意图

 

2N5457、2N5458、2N5459系列硅N沟道JFET的漏源电压耐受值VDS,漏栅电压耐受值VDG和栅源电压耐受值VGS都同为25V,同其夹断电压VGS(OFF)为0.5~8.0V的整体范围来比较,有一定的器件保护作用。同时其栅极持续电流耐受值IG为10mA,最大功耗值PD有310mW,相较毫瓦级的器件功耗,具有极好的电气可靠性和工作稳定性。说到稳定性,其温度稳定性也是极为优秀的。其漏极短路截止栅电流IGSS的数据受温度影响最大,当环境温度从25°C升高到100°C时,该数据从1.0nA升高到了200nA。但即使是200nA,其截断效果依然良好,工作稳定性不受温度升高的影响。器件的工作温度范围也十分宽广,从-65°C一直到+150°C,可适应各种严苛的工作环境。

 

2N5457、2N5458、2N5459系列硅N沟道JFET的主要特点

• 硅N沟道JFET系列产品

• 夹断电压VGS(OFF)分别(在25°C,VDS=15V,ID=10nA的条件下)为:

2N5457=0.5~6.0V,2N5458=1.0~7.0V,2N5459=2.0~8.0V

• 低频正向跨导值较大,具有较高的放大增益效果

• 快速响应能达到微秒级别

• 电气可靠性高,工作稳定性好

• 温度稳定性优秀

• 工作及存储温度范围:-65°C~+150°C

 

2N5457、2N5458、2N5459系列硅N沟道JFET的典型应用

• 通用放大器电路

• 高频快速响应开关电路

• 源极跟随器电路


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品牌:Central Semiconductor

品类:Low Vce(Sat) Transistors

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位移传感器量程定制

可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。

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多核计算单板和核心板定制

可支持TI AM335x/AM5718 和NXP iMX6/iMX8芯片定制核心板和计算单板;支持NXP iMX6核心模组X / F / H系列、TI AM335x核心模组X / N / H系列,与兼容的底板组合定制单板计算机。

最小起订量: 1pcs 提交需求>

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授权代理品牌:接插件及结构件

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授权代理品牌:电源及模块

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授权代理品牌:电子材料

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